半导体专业术语英语.docx

acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) acceptor: 受主，如 B，掺入 Si 中需要接受电子 ACCESS：一个 EDA（Engineering Data Analysis）系统 Acid：酸 Active device：有源器件，如 MOS FET（非线性，可以对信号放大） Align mark(key)：对位标记 Alloy：合金 Aluminum：铝 Ammonia：氨水 Ammonium fluoride：NH4F Ammonium hydroxide：NH4OH Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） Analog：模拟的 Angstrom：A（1E-10m）埃 Anisotropic：各向异性（如 POLY ETCH） AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以 95%置信度 通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于 METAL 等层的光刻） Antimony(Sb)锑 Argon(Ar)氩 Arsenic(As)砷 Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 Arsine(AsH3) Asher：去胶机 Aspect ration：形貌比（ETCH 中的深度、宽度比） Autodoping：自搀杂（外延时 SUB 的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺 到外延层） Back end：后段（CONTACT 以后、PCM 测试前） Baseline：标准流程 Benchmark：基准 Bipolar：双极 Boat：扩散用（石英）舟 CD： （Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如 POLY CD 为多晶条宽。 Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区 域。 Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质 的方法。 Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄 膜的工艺。 Chip：碎片或芯片。 CIM：computer-integrated manufacturing 的缩写。用计算机控制和监控制造工艺 的一种综合方式。 Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。 39. Compensation doping：补偿掺杂。向 P 型半导体掺入施主杂质或向 N 型掺入受主杂 质。 CMOS：complementary metal oxide semiconductor 的缩写。一种将 PMOS 和 NMOS 在同一个硅衬底上混合制造的工艺。 Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。 Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。在 N 型材料中多数载流子是电子， 在 P 型材料中多数载流子是空穴。 Contact：孔。在工艺中通常指孔 1，即连接铝和硅的孔。 Control chart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。 45. Correlation：相关性。 Cp：工艺能力，详见 process capability。 Cpk：工艺能力指数，详见 process capability index。 Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度 的快慢。 Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也 可以叫做损伤。 Defect density：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。 Depletion implant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。 （耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。） Depletion layer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。 53. Depletion width：耗尽宽度。53 中提到的耗尽层这个区域的宽度。 Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄 膜的一种方法。 Depth of focus（DOF）：焦深。 design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据 结果的统计合理性等目的，