功率半导体器件企业研发工程中心建设项目可行性研究报告.docx

精品word word可编辑 . 精品word 2021年功率半导体器件企业研发工程中心建设工程可行性争辩报告 2021年7月 目 录 TOC \o 1-5 \h \z \u 一、工程概况 3 二、工程投资概算 3 三、工程周期和时间进度 4 四、工程实施地点与环境保护事项 4 五、工程可行性及与公司现有主要业务、核心技术之间的关系 5  一、工程概况 公司技术研发工程中心将连续以市场需求为导向，依靠公司在超级结MOSFET领域积累的技术领先优势及设计和开发平台，围绕SiC器件、新型硅基高压功率器件方向进行产品技术的创新研发，开发新的技术方案，增加功率器件失效性和牢靠性的固定资产投入，优化试验环境，提升测试效率，进一步保障产品质量。公司方案在超薄晶圆反面加工技术和高功率密度芯片及模块封装技术方向进行持续研发投入，提高工艺技术，进一步提升产品性能。 工程的实施有助于提升公司创新水平和效率，营造良好的试验环境，吸引高端技术人才的参加，加快科研成果转化，为公司的可持续进展供给更有力的技术支撑。 二、工程投资概算 本工程总投资额为16,984.20万元，工程投资概算状况如下表： 三、工程周期和时间进度 本工程建设时间为36个月。本工程实施主要分为二个阶段：前期预备阶段与工程建设阶段。前期预备阶段工作包括方案设计、可行性争辩等；工程建设阶段包括物业购置及装修，明确研发、测试、封装方案，扩充、招募研发及工程团队，培训研发人员，生疏各方向研发目标、技术要求和进度，以及前沿技术研发等。本工程具体实施方案如下表所示： 四、工程实施地点与环境保护事项 本工程不会产生工业废水、废气、废渣与噪声等，不会对环境产生污染。 五、工程可行性及与公司现有主要业务、核心技术之间的关系 工程是在公司核心技术的根底上进一步创新开发与升级拓展。公司主要致力于具有高技术含量的功率器件的研发，目前主要在新型GreenMOS 系列高压超级结功率器件、SFGMOS系列及FSMOS 系列中低压屏蔽栅功率器件、Tri-gate IGBT芯片领域积累了独特的核心技术，将来公司拟在SiC器件、新型硅基高压功率器件等前沿方向进行研发。研发的开展一方面是基于公司现有的超级结技术、IGBT技术，另一方面也是前瞻性布局，进行新材料、新技术的开发，有利于提升公司的技术创新力量，进一步丰富技术储藏，提升公司的技术创新力量。 工程丰富了公司的主营业务，有利于促进公司主营业务的进展。针对SiC器件、新型硅基高压功率器件等方向开展的研发活动，一方面可以推动公司现有产品的更新迭代与优化升级，提升公司产品附加值；另一方面可实现研发成果的转化，丰富公司的产品种类，开拓新的产品应用领域，增加公司的盈利力量。在器件牢靠性争辩方面，通过购置先进的测试设备，提高产品良率，保障产品质量，推动主营业务规模的扩大。在超薄晶圆反面加工技术方面，使用减薄技术，增加公司的IGBT、中低压器件的性能，有利于主营产品的销售。在高功率密度芯片及模块封装技术方面，通过提高功率模块性能，实现模块定型，供给高压和中低压的多款模块，拓展车规级应用场景，促进主营业务的进展。