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《半导体器件物理基础》课件.ppt

发布:2025-03-03约小于1千字共60页下载文档
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半导体器件物理基础;课程简介与教学目标;半导体物理基础概述;本征半导体的能带结构;杂质半导体的形成;N型半导体的特性;P型半导体的特性;载流子浓度和费米能级;半导体中的载流子输运;漂移运动与迁移率;扩散运动与扩散系数;载流子的产生与复合;连续性方程;PN结的形成原理;PN结的能带图;内建电势的计算;PN结的电流-电压特性;理想二极管方程;二极管的击穿机制;雪崩击穿现象;齐纳击穿现象;温度对PN结的影响;PN结的电容效应;势垒电容;扩散电容;金属-半导体接触;肖特基势垒;欧姆接触;金属-氧化物-半导体结构;MOS结构的能带图;MOS电容的工作原理;平带电压;表面势和阈值电压;反型层的形成;MOSFET的基本结构;沟道的形成机制;线性区工作特性;饱和区工作特性;亚阈值区特性;沟道长度调制效应;短沟道效应;热载流子效应;栅极泄漏;晶体管的缩比规则;双极晶体管的工作原理;发射结和集电结;电流放大作用;三种工作状态;基本放大电路;温度对BJT的影响;早期效应;频率响应特性;光电效应基础;光电器件原理;LED工作原理;太阳能电池原理;半导体激光器;光电探测器;新型半导体材料;量子效应器件

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