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碳化硅晶圆加工损伤机理：基于实验与仿真的深度剖析
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今科技飞速发展的时代，半导体材料作为现代电子产业的基石，其性能的优劣直接影响着电子设备的性能与发展。碳化硅（SiC）晶圆作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借其卓越的物理性质，如宽带隙、高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度等，在电力电子、射频微波、光电子等众多关键领域展现出了巨大的应用潜力，成为推动现代科技进步的核心材料之一。
在电力电子领域，随着新能源汽车、智能电网、轨道交通等行业的蓬勃发展，对高效、高功率、耐高温的电力电子器件的需求与日俱增。碳化硅晶圆凭借其高击穿电压和低导通电阻的特性，能够大幅降低器
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