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《InAs-GaSb超晶格微结构与光电特性研究》.docx

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《InAs-GaSb超晶格微结构与光电特性研究》

InAs-GaSb超晶格微结构与光电特性研究一、引言

近年来，InAs/GaSb超晶格因其独特的光电性能，成为了众多研究者关注的焦点。InAs/GaSb超晶格由不同材料的单层InAs和GaSb周期性排列构成，具有能带结构调控和能级调节等优势，广泛应用于光电领域。本文将围绕InAs/GaSb超晶格的微结构及其光电特性展开研究，以期为相关领域的研究和应用提供理论支持。

二、InAs/GaSb超晶格的微结构

InAs/GaSb超晶格的微结构主要由其组成材料和周期性排列决定。首先，InAs和GaSb是两种具有不同电子特性的材料，通过调整它们的厚度和比例

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