半导体行业存储芯片板块跟踪报告(八)：海内外厂商业绩持续修复，关注利基产品价格上涨.docx
事件附表1：存储板块本周热点新闻速递
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大厂动态
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据韩媒7月2日报道，三星电子正在由其先进封装（AVP）部门主导开发“3.3D先进半导体封装技术”。目标是2026年第二季度量产，应用于AI半导体芯片。所谓3.3D先进半导体封装技术，是指将通过3D堆叠技术将逻辑半导体堆叠在计算所需的高速缓存(LLC)之上。
据《韩国经济日报》7月1日报道，三星电子和SK海力士正考虑向韩国产业银行申请总计8万亿韩元（约合422.08
亿元人民币）的低息贷款，以支持其业务扩张。韩国产业银行作为政策性金融机构，将提供17万亿韩元的低息贷款
支持半导体企业。SK海力士计划用3万亿韩元贷款弥补投资缺口，而三星电子则出于财务成本考虑，可能申请5万
亿韩元贷款，这将是其20年来首次借入长期贷款用于大规模建设投资。
SK集团董事长崔泰源于6月末访问美国，与OpenAICEO萨姆·奥尔特曼和微软CEO萨提亚·纳德拉会面，探讨人工智能行业的发展和技术趋势，以及个人AI服务和半导体、数据中心、大语言模型等领域的合作。双方同意定期举行会议以促进AI领域的全方位合作。
有消息称，三星电子西安工厂在第八代V-NAND工艺上取得突破，已向数据中心和手机制造商提供样品进行验证。
该工厂为2025年数据中心领域客户预留产能。三星表示，第八代V-NAND供应量将无法完全满足2025年市场需
求，3DNAND工艺升级正推动客户向最新技术过渡。
大厂动态 据韩媒6月28日报道，业内人士透露，三星电子正在积极要求其内存生产线实现最大产量并提高设备运转率。从本月开始，三星电子存储部门内部一直在讨论DRAM和NAND都应该达到最大产量，主要目标是首先扩大产量。
美光6月28日宣布，计划在2026-2029年期间，在美国爱达荷州和纽约州的晶圆厂开始生产。爱达荷州晶圆厂预计
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2026年9月投产，纽约厂则计划2028年或之后上线。2024财年资本支出约80亿美元，预计2025财年增至120亿美
元，其中超20亿美元用于新晶圆厂建设。
大厂动态 铠侠结束减产计划，提升生产线开工率至100%，披露3DNAND路线图，目标2027年实现1000层堆叠。终端需求 近日澜起科技在接受机构调研时表示，目前一台典型的配置8块GPU的主流AI服务器需要8颗或16颗PCIe
Retimer芯片。未来，PCIeRetimer芯片的市场空间将随着AI服务器需求量的增加而持续扩大。
终端需求 随着AI持续发展，包括AI需要使用的HBM以及先进封装结构改变，都需要多增加使用硅晶圆，随着库存去化、AI发展以及换机潮可望启动下，硅晶圆产业明年展望乐观。
尽管6月多家新能源汽车品牌销量创今年最佳，但上半年整体销售目标完成率普遍不足四成。比亚迪和吉利汽车完
终端需求
终端需求
成度超四成，理想汽车、极氪汽车超三成，小鹏汽车不足两成。吉利汽车上调全年销量目标至200万辆。各品牌正加速新车型上市，如小鹏汽车的MONAMO3和蔚来汽车的乐道L60，预计下半年市场竞争将更加激烈。同时，智能网联汽车产业化发展受政策推动，预计到2030年渗透率将超90%。
随着人工智能、高性能计算和数据中心需求的增长，HBM芯片市场占比显著提升。美光科技和SK海力士的HBM产能已售罄至2025年，三星虽暂时落后，但正加速追赶。HBM4技术预计将带来接口宽度增加、层数提升、功耗降低等变革，满足未来市场需求。
资料来源：闪存市场、研究所
本周：-0.82%2024年初至今：+15.86%750700本周：-0.17%2024年初至今：+9.83%650600550500450400附图1：指数：2024年第27周NAND指数下降0.82%
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