GB/T 14112-2015半导体集成电路　塑料双列封装冲制型引线框架规范.pdf

ICS 31.200 中华人民共和 国 国彖标准 GB/T 14112—2015 代替 GB/T 14112— 1993 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范 Semiconductor integrated circuits — Specification for stamped leadframes of plastic DIP 2015-05-15 发布 2016-01-01 实施 GB/T 14112—2015 目 次 前言m i范围1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 技术要求 1 4.1引线框架尺寸 1 4.2引线框架形状和位置公差 2 4.3引线框架外观 3 4.4 引线框架镀层3 4.5引线框架外引线强度4 4.6 铜剥离试验 4 4.7 银剥离试验4 5 检验规则 4 5.1 检验批的构成 4 5.2 鉴定批准程序 4 5.3 质量一■致性检验 4 6 订货资料 7 7标志、包装、运输、贮存 7 7.1 标志、包装7 7.2运输、贮存7 附录A （规范性附录 ）引线框架机械测量 8 附录B （规范性附录 ）引线框架高温和机械试验16 附录C （资料性附录 ）批允许不合格率（LTPD）抽样方案 18 T GB/T 14112—2015 ■ i r ■ ■ i 刖 吕 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 14112— 1993 《半导体集成电路塑封双列封装冲制型引线框架规范》。 本标准与GB/T 14112— 1993相比主要变化如下： —关于规范性引用文件:增加引导语;抽样标准由GB/T 2828.1-2012代替IEC 410；增加引用 文件 GB/T 2423.60—2008 、SJ 20129； ——增加术语和定义，并增加了标称长度、精压区共面性、芯片粘接区下陷的定义； 一标准“4.2引线框架形状和位置公差” 中，增加了芯片粘接区平面度 、引线框架内部位置公差的 有关要求； 修改了标准中对 “侧弯”的要求（见4.2.1 ）：原标准仅规定了侧弯小于0.05 mm/150 mm 本标 准在整个标称长度上进行规定； ——修改了标准中对 “卷曲”的要求（见4.2.2）：原标准中仅规定了卷曲变形小于0.5 mm/150 mm 本标准根据材料的厚度进行规定； -修改了标准中对“条带扭曲”的要求（见4.2.4）：原标准中仅规定了框架扭|tt|小于0.5 mm 本标 准将框架扭曲修改为条带扭曲 ，并根据材料的厚度进行规定； -修改了标准中对 “引线扭曲”的要求（见4.2.5）：原标准中规定了引线扭曲的角度及其内引线端 点的最大扭曲值，本标准删除了内引线端点最大扭曲值的规定； -修改了标准中对 “精压深度”的要求（见4.2.6）：在原标准的基础上，增加了最大精压深度与最 小引线间距的相关要求； -修改了标准中对 “绝缘间隙”的要求（见4.2.7 ）：原标准中规定的绝缘间隙为0.15 mm 本