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目 录
1 CSI24WC0 1/02/04/08/16 ……………………………….2-10
2 CSI24WC32/64…………………………………………...11-18
3 CSI24WC128. ……………………………..…………….19-26
4 CSI24WC256. ………………………….….…………….27-34
1
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CAT24WC01/02/04/08/16
2
1K/2K/4K/8K/16K 位串行E PROM
特性
与 2 总线兼容
400KHz I C
到 伏工作电压范围
1.8 6.0
低功耗CMOS 技术
写保护功能 当 为高电平时进入写保护状态
WP
页写缓冲器
自定时擦写周期
编程擦除周期
1,000,000 /
可保存数据 年
100
8 脚DIP SOIC 或TSSOP 封装
温度范围 商业级 工业级和汽车级
概述
是一个 位串行 2 内部含有
CAT24WC01/02/04/08/16 1K/2K/4K/8K/16K CMOS E PROM
个 位字节 公司的先进 技术实质上减少了器件的功耗
128/256/512/1024/2048 8 CATALYST CMOS
有一个 字节页写缓冲器 有一个 字节页写缓冲器 该器件通过
CAT24WC01 8 CAT24WC02/04/08/16 16
I2C 总线接口进行操作 有一个专门的写保护功能
管脚配置
管脚描述
管脚名称 功能
A0 A1 A2 器件地址选择
SDA 串行数据地址
/
SCL 串行时钟
WP 写保护
Vcc +1.8V 6.0V 工作电压
Vss 地
2
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方框图
极限参数
工作温度 工业级 -55 +125
商业级 0 +75
贮存温度 -65 +150
各管脚承受电压 -2.0 Vcc+2.0V
Vcc 管脚承受电压 -2.0 +7.0V
封装功率损耗 T =25 1.0W
a
焊接温度 秒 300
(10 )
输出短路电流 100mA
可靠性参数
符号 参数 最小 最大 单位 参考测试模式
N 耐久性 1,000,000 周期字节 测试方法
END / MIL-STD-8
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