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国产光刻机官宣成功半导体产业链再次得到提振

光刻机领域存在一个经典公式，即瑞利判据：CD=k1×λ/NA。CD代表线宽，即可以实现的最小特征尺寸；λ是光刻机光源的波长；NA是物镜的数值孔径，代表镜头收集光的角度范围；k1是一个与芯片制造工艺相关的系数。

目前的工艺可以将k1推进至0.25，因此本次披露的氟化氩（ArF）光刻机，其物镜的数值孔径约为0.75，而ASML主流氟化氩（ArF）光刻机NA值已提升到0.93，因此物镜本身仍有较大差距。

不过未来还可以多条路径并行，以改善国产光刻机分辨率。除了攻关更高数值孔径的物镜，还可以研发浸没式光刻机，将物镜与晶圆之间的空气介质替换为水，等效缩短波长λ。另外，也可以通过防震动、双光束成像、多重曝光等技术降低k1。

总体来说，国产光刻机追赶海外先进水平的道路并不平坦，但不可否认已经取得了国产替代的重要突破。并且光刻机零部件、整机厂商也在持续加码研发投入，相关产业链发展空间广阔。

（作者系某公募指数投资总监。文中基金仅为举例分析，不作买卖推荐。）