浙工大2015年电力电子技术试卷（B）答案.pdf

浙江工业大学期终考试命题稿

2015/2016学年第一学期

电气13\自动化13

课程名称电力电子技术使用班级电信13

教师份数6份学生份数

命题人南余荣审核人

命题总页数8页每份试卷需用白纸2大张

命题注意事项：

一、命题稿请用A4纸电脑打印，或用教务处印刷的命题纸，并用黑

墨水书写，保持字迹清晰，页码完整。

二、两份试题必须同等要求，卷面上不要注明A、B字样，由教务处

抽定A、B卷。

三、命题稿必须经学院审核，并在考试前两周交教务处。

浙江工业大学2015/2016学年

第一学期期终试卷

课程___电力电子技术_____姓名___________________________

班级_____________________________学号______________________________

题序一二三四五六七八九十总评

计分

命题：

一、选择题（15分，每题1.5分）

1、电力变换通常包括那几类？（B）

A、AC/DC和DC/AC两大类。

B、AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类。

C、AC/DC、DC/AC、DC/DC三大类。

2、有关GTR的二次击穿现象表述正确的是：（C）

A、虽然GTR存在二次击穿现象，但GTR的安全工作区与二次击穿现象无关。

B、GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。

C、GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。

3、有关功率集成电路，表述正确的是：（A）

A、将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同

一芯片上，称为功率集成电路。

B、将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路封装在一

起，称为功率集成电路。

C、功率自关断器件称为功率集成电路。

4、MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是：（B）

A、型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行。

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浙江工业大学考试命题纸

B、型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，

也可以并联使用。

C、型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行。

5、单相桥式半控整流电路结构，表述正确的是：（B）

A、单相桥式半控整流电路须有续流通路，其电路用续流二极管构成续流通路，电路拓扑只

有一种形式。

B、单相桥式半控整流电路须有续流通路，电路拓扑不只有一种形式，也可以有其它形式。

C、单相桥式半控整流电路须有4个晶闸管组成。

6、关于变压器漏感影响工作状态，表述正确的是：（A）

A、变压器漏感对整流电路的影响之一是使整流电路的工作状态增多。

B、变压器漏感对整流电路输出电压平均值有影响，但不影响整流电路的工作状态。

C、变压器漏感既不影响整流电路输出电压平均值，也不影响整流电路的工作状态。

7、单相电压型逆变电路，表述正确的是：（B）

A、单相电压型逆变电路的移相调压方式，改变滞后角就可调节输出电压的峰值。

B、单相电压型逆变电路的移相调压方式，改变滞后角就可调节输出电压的有效值。

C、单相电压型逆变电路的移相调压方式，改变滞后角不能调节输出电压的有效值。

8、多相多重斩波电路，表述正确的是：