42存储器管理带存储器实例.ppt

桂林电子科技大学，信息通信学院 * SDRAM与EMC的连接 W9825G6DH根据外部引脚状态有许多工作模式，包括：读、写、预充电、设置模式寄存器、突发停止、掉电模式等等。 由于EMC模块引脚完全符合SDRAM接口，所以用户设置只需设置EMC中EMCDynamicControl寄存器进入相应模式即可。 模式寄存器主要用于设置SDRAM的突发长度、寻址方式、CAS延时、写操作方式等内容。 桂林电子科技大学，信息通信学院 * SDRAM的重要模式和概念 预充电precharge: SDRAM启动后，必须对所有bank预充电才能进行读写。 刷新refresh： 由于SDRAM工作原理，定期必须对芯片进行刷新操作，以保持数据。 自动刷新auto-refresh/auto-precharge： 允许读写操作芯片前完成数据刷新操作。 自刷新模式self-refrash： 一种较省电模式，SDRAM进入该模式能保持数据，但是无法读写数据。 省电模式power-down： SDRAM不刷新数据，所以如果有数据保存时省电周期刷新周期。 刷新周期： SDRAM不刷新数据能够保持数据的最长时间。 桂林电子科技大学，信息通信学院 * 桂林电子科技大学，信息通信学院 * 桂林电子科技大学，信息通信学院 * 桂林电子科技大学，信息通信学院 * EMC中有关SDRAM的寄存器设置 SDRAM命令字时序寄存器： 注意：SDRAM时钟为FCCLK=57.6MHz 桂林电子科技大学，信息通信学院 * SDRAM的时序要求 根据该表设置EMC的时序寄存器 桂林电子科技大学，信息通信学院 * EMC关于SDRAM其他重要寄存器 EMCDynamicConfig0-3接口配置寄存器 用于定义与EMC连接的SDRAM的接口定义，行列地址的根数等内容。 桂林电子科技大学，信息通信学院 * EMC关于SDRAM其他重要寄存器 EMCDynamicControl 控制SDRAM工作模式，完成SDRAM模式寄存器的设置。 桂林电子科技大学，信息通信学院 * EMC关于SDRAM其他重要寄存器 EMCDynamicRefresh 设置SDRAM的刷新周期，即在无任何读写操作时，最大刷新时间。 桂林电子科技大学，信息通信学院 * NOR FLASH与EMC的连接 Am29LV160D存储组织为2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit。NOR FLASH芯片可按字节读取，速度接近RAM。内部自带有字节、扇区、整片擦除，字节编程等操作的算法，用户程序只需按要求连续写入命令，即进入相应状态。 NOR FLASH擦除过程将所有位置1。编程过程中只会将1写为0，无法将0写为1，所以在进行NOR FLASH编程前一定先擦除对应扇区。 桂林电子科技大学，信息通信学院 * Am29LV160D扇区地址 Am29LV160D一共分为35各扇区，前四个为小容量扇区，其余31各均为64KB。 桂林电子科技大学，信息通信学院 * Am29LV160D命令序列 桂林电子科技大学，信息通信学院 * Am29LV160D状态查询位 RY/BY#位 空闲/忙引脚表示当前芯片所处的状态。空闲表示处于可操作状态，忙表示处于擦除或编程状态。 数据查询位DQ7 查询编程或擦除操作是否成功，编程操作后可读取对应地址，判断是否成功；擦除操作时，DQ7位为0，完成后DQ7位为1。 Togglebit DQ6DQ2 DQ6是否跳转判断编程或擦除操作是否完成。 桂林电子科技大学，信息通信学院 * EMC中静态存储器相关寄存器 桂林电子科技大学，信息通信学院 * NAND FLASH与EMC的连接 K9F2G08U0M存储布局为(256M + 8,192K)bit x 8bit，按页编程或读取，按块擦除。读取时间：串行读取50ns，随机读取为25us。页编程300us，块擦除2ms。 1DEVICE= 128K*(2048+64)BYTE 1PAGE=2048 2048+64列 128K行 +64字节 1BLOCK =64行 桂林电子科技大学，信息通信学院 * K9F2G08U0M引脚 桂林电子科技大学，信息通信学院 * K9F2G08U0M地址操作周期 桂林电子科技大学，信息通信学院 * K9F2G08U0M操作命令 用户程序需要写入特定操作命令，使芯片进入特定操作模式。 桂林电子科技大学，信息通信学院 * K9F2G08U0M读操作 桂林电子科技大学，信息通信学院 * K9F2G08U0M编程与擦除操作 桂林电子科技大学，信息通信学院 * K9F2G08U0M无效块检测 在使用K9F2G08U0M前需要检测芯片是否有无效块存在。芯片保证在每块空间擦出后，其第1、2页中第2048字节（即空闲第1字节）内容不为0xff,则