储存器和可编程逻辑器件.ppt

可编程逻辑器件 PLD 是由用户自行定义功能 编程 的一类逻辑器件的总称。 PLD的结构框图 22.3 可编程逻辑器件 PLD的结构方框图 PLD电路结构复杂，线路纵横交错，编程点和门电路甚多。为了清晰准确地表示PLD的电路连线和逻辑关系，采用了一些不同常规的表示方法。 1. 行线和列线的交叉点 两种导线的交叉点有三种含义。 1 圆点“?”表示该点为固定连接点，用户不能改变。 2 叉点“?”也表示两线连通，但该点是编程点, 出厂 时此点是接通的,用户可根据需要断开或保持接通。 3 既无点“?”又无叉点“?”，表示两线是断开的。 ? a 固定连接 ? b 编程连接 c 断开连接 2. 与门与或门 与门输出Y1 ABD 变量C与与门无关 或门输出Y2 A+B+C 变量D与或门无关 PLD中的与门和或门 输出线 输入线 与门的输入线只有一条，称为乘积线；输出线的Y1 ABD 称为与项。 或门的输入线也只有一条，称为相加线；输出线的Y2 ABC 称为或项。 3. 输入互补缓冲器和输出三态缓冲 1 输入互补缓冲器 2 输出三态缓冲器 反相缓冲器 输出 同相缓冲器 输出 输入互补缓冲器可提供互补的原变量A和反变量 , 可增加电路的带负载能力, 主要用于输入电路和反馈输入电路。 A 主要用于PLD的输出电路。 可编程只读存储器 1.一次编程性只读存储器 PROM 厂家制造PROM时，使存储矩阵的所有存储单元的内容全为 1。用户可根据自己的需要自行确定存储单元的内容。 PROM存储单元中的熔丝 存储 1 存储 0 熔断器被烧断后不能恢复。只能编程一次，一旦 编号, 就不能再行修改, 所以称一次编程只读存储器。 图1. PROM存储单元全部存1 未编程的存储矩阵 图2. PROM编程后的存储矩阵 已编程的存储矩阵 例1：在前面图1 所示的PROM存储阵列中，编程时已将其中的一些融丝烧断, 如前图 2 所示, 根据此图： 1 画出存储矩阵的编程阵列图； 2 说明存储阵列存储的内容； 3 写出存储矩阵输出端D0 ~ D3的逻辑式。 解： 1 将图 2 和图 1 对照比较，凡是熔丝烧断后的编程点，将 “?” 擦出，未被烧断熔丝的编程点，将 “?” 保留，存储矩阵的编程阵列图如图 2 b 所示。 2 存储矩阵存储的内容。由图可知，存储的内容为：1001，1100，1001，0110四个字单元。 3 存储矩阵输出端或门输出的逻辑式为 D0 W0 + W2 D1 W3 D2 W1 + W3 D3 W0 + W1 + W2 下一页 返回 上一页 退出 章目录 第22章 存储器和可编程逻辑器件 22.1 只读存储器 22.2 随机存取存储器 22.3 可编程逻辑器件 本章要求 1.了解ROM, RAM, PROM, EPROM和ROM 的结构和工作原理及功能的区别； 第22章 存储器和可编程逻辑器件 2.了解常用可编程逻辑器件在实际中的应用； 3. 会用可编程逻辑器件构成简单的逻辑函数。 半导体存储器分类： 按功能 只读存储器（ROM） 随机存取存储器（RAM） 按元件 双极型存储器:速度快，功耗大。 MOS型存储器：速度较慢，功耗小， 集成度高。 22.1 只读存储器 ROM的结构方框图 只读存储器 ROM ，它存储的信息是固定不变的。工作时，只能读出信息，不能随时写入信息。 ROM的结构框图 表示存储 容量 1. 存储矩阵：由存储单元构成，一个存储单元存储一位二进制数码 1 或 0 。存储器是以字为单位进行存储的。图中有N×M个存储单元。 2. 地址译码器：为了存取的方便，给每组存储单元以确定的标号，这个标号称为地址。图中W0~WN-1称为字单元的地址选择线，简称字线；地址译码器根据输入的代码从W0~WN-1条字线中选择一条字线，确定与地址代码相对应的一组存储单元位置。被选中的一组存储单元中的各位数码经位线 D0 ~ DM-1传送到数据输出端。 ROM主要结构 存储矩阵 地址译码器 二极管 ROM电路 ROM的工作原理 1 存储矩阵 图中的存储矩阵和地址译码器均由二极管构成。在存储矩阵和地址译码器之间，由字线联系。 图中的存储矩阵有四条字线和四条位线。共有十六个交叉点，每个交叉点都可看作一个存储单元。 交叉