半导体器件基础答案.pdf
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半导体器件基础习题答案.pdf
半导体器件习题答案
第二章
2.2 使用价键模型，形象而简要地说明半导体
(a) 失去原子 (b) 电子 (c) 空穴 (d) 施主 (e) 受主
2.3 Q: 使用能带模型，形象而简要地说明半导体：
(a) 电子 (b) 空穴 (c) 施主 (d) 受主
(e) 温度趋向于0 K 时，施主对多数载流子电子的冻结
(f) 温度趋向于0 K 时，受主对多数载流子空穴的冻结
(g)
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项目一半导体器件基础.ppt
显然β与β,α与α其意义是不同的,但是在多数情况下β≈β,α≈α。晶体管的电流分配关系三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用就是基极电流IB的微小变化控制了集电极电流IC较大的变化。三极管是一种电流控制器件。号对大信号的控制作用。03单击此处添加正文，文字是您思想的提炼，为了演示发布的良好效果，请言简意赅地阐述您的观点。提供的，并不是三极管自身生成的，放大的实质是小信02单击此处添加正文，文字是您思想的提炼，为了演示发布的良好效果，请言简意赅地阐述您的观点。2．三极管放大电流时，被放大的IC是由电源VCC01晶体三极管的特性曲线iB=f(vBE)?VCE=常数1.输入特性曲线+-bce共射极
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半导体器件基础.ppt
随着扩散运动的进行， 空间电荷区的宽度将逐渐增大；随着漂移运动的进行， 空间电荷区的宽度将逐渐减小。到达平衡时，扩散电流＝漂移电流PN结中总电流＝0空间电荷区的宽度也达到稳定——形成PN结PN结的单向导电特性：加正向电压（正偏）——P区接电源正极，N区接电源负极，则电源产生的外电场与PN结的内电场方向相反，内电场被削弱，PN结变窄，表现为很小的电阻，形成较大正向电流（多数载流子形成的扩散电流），PN结处于正向导通状态。加反向电压(反偏)——N区接电源正极，P区接电源负极，则电源产生的外电场与PN结的内电场方向相同，增强了内电场，PN结变宽，表现为很大的电阻，有较小的反向电流（少数载流子形成的漂
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半导体器件基础解析.ppt
第1章 半导体器件基础 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 半 导 体 三 极 管 1.4 场 效 应 管 1.1 半导体基础知识 自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。 半导体的特点： ①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性 1.1.1 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 1.本征半导体的原子结构及共价键 共价键内的两个电子由相邻的原子各用一个价电子组成，称为束缚电子。图1.1所示为硅和锗的原子结构和共价键结构。 2.本征激发和两种载流子 —
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第1章半导体器件基础.ppt
模拟电子技术根底哈工大〔威海〕电子科学与技术系韩良办公地点：H613
2025/3/9韩良2第1章半导体器件根底1.1半导体的根本知识1.3半导体二极管1.4双极型晶体管1.5场效应管1.2PN结及其单向导电性
2025/3/9韩良31.1半导体的根本知识
2025/3/9韩良4什么是半导体？导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。
2025/3/9韩良5半导体的导电特性：(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。掺杂性：纯洁的半导体中掺入某些杂质，其导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等〕。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光
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半导体器件基础_11309213.pdf
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半导体器件基础教案..doc
第一章半导体器件基础
【学习目标】
1.了解PN结的单向导电性。?????????????????????????????
2.熟悉二极管的伏安特性
3.了解开关二极管、整流二极管、稳压二极管的基本用途。
4.掌握三极管输出特性曲线中的截止区、放大区和饱和区等概念。
5.熟悉三极管共发射极电流放大系数β的含义。
6.熟悉对三极管开关电路工作状态的分析方法。
7.熟悉三极管的主要参数。
8.熟悉MOS场效应管的分类及符号。
9.熟悉增强型NMOS管的特性曲线。
10.了解MOS场效应管的主要参数。
【内容提要】
??? 本章介绍三种常用的半导体器件，即半导体二极管、三极管及MOS场效应管。重点介
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第1篇半导体器件基础.ppt
1.3 半导体三极管 半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor,简称BJT）。 BJT是由两个PN结组成的。 一.BJT的结构 二． BJT的内部工作原理（NPN管） 三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。 （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。
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半导体器件基础课件.ppt
二極體的結構平面型(3)平面型二極體—往往用於積體電路製造工藝中。PN結面積可大可小，用於高頻整流和開關電路中。(2)面接觸型二極體—PN結面積大，用於工頻大電流整流電路。面接觸型*1.2.2半導體二極體的伏安特性曲線半導體二極體的伏安特性曲線如圖所示。處於第一象限的是正向伏安特性曲線，處於第三象限的是反向伏安特性曲線。*二極體的伏安特性曲線根據理論推導，二極體的伏安特性曲線可用下式表示式中IS為反向飽和電流，V為二極體兩端的電壓降，VT=kT/q稱為溫度的電壓當量，k為玻耳茲曼常數，q為電子電荷量，T為熱力學溫度。對於室溫（相當T=300K），則有VT=26mV。*矽二極體的開啟電壓Von=
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半导体器件基础课件.ppt
二.二極體的模型及近似分析計算例：IR10VE1kΩD—非線性器件iuRLC—線性器件二極體的模型DU串聯電壓源模型UD二極體的導通壓降。矽管0.7V；鍺管0.3V。理想二極體模型正偏反偏導通壓降二極體的V—A特性二極體的近似分析計算IR10VE1kΩIR10VE1kΩ例：串聯電壓源模型測量值9.32mA相對誤差理想二極體模型RI10VE1kΩ相對誤差0.7V例：二極體構成的限幅電路如圖所示，R＝1kΩ，UREF=2V，輸入信號為ui。(1)若ui為4V的直流信號，分別採用理想二極體模型、理想二極體串聯電壓源模型計算電流I和輸出電壓uo解：（1）採用理想模型分析。採用理想二極體串聯電壓源模型分
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第8章 半导体器件基础2精品.ppt
第8章 半导体器件基础 重点： 难点： 1. 半导体二极管特性 2. 半导体三极管主要参数及特性 3. 稳压管的稳压特性 1. 二极管的单向导电性 2. 三极管的放大工作原理 8.4 半导体三极管 半导体三极管简称晶体管或三极管。它由空穴和自由电子两种载流子参与导电，半导体三极管又称为双极型晶体三极管（简称BJT）或三极管、晶体管等。它是组成电子电路的最基本的器件，在开关、放大、调制和振荡电路中应用广泛。 8.4.1 半导体三极管的结构和类型 三极管的构成是在一块半导体上用掺入不同杂质的方法制成2个紧挨着的PN结和3个区：
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第1章 半导体器件基础概要1.ppt
模拟电子技术（第2版） 第1章 半导体器件基础 1.1 半导体基础知识 半导体导电具有的特点： ①热敏性：当半导体材料受外界热刺激时，其导电能力将发生显著改变； ②光敏性：当半导体材料受外界光照射时，其导电能力将发生显著改变； ③掺杂性：在纯净半导体材料中，掺入微量杂质，半导体的导电能力会有显著增加。 1.1.1 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 1．本征半导体的原子结构及共价键 2．本征激发和两种载流子—自由电子和空穴 在本征半导体中，自由电子和空穴成对出现，数目相同。 空穴也是一种载流子
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模块1半导体器件基础.ppt
1.3 半导体三极管 半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor,简称BJT）。 BJT是由两个PN结组成的。 一.BJT的结构 二． BJT的内部工作原理（NPN管） 三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。 （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。
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半导体器件基础2讲述.ppt
半导体概要 载流子模型 载流子输运 pn结的静电特性 pn结二极管：I-V特性 pn结二极管：小信号导纳 pn结二极管：瞬态特性 BJT的基础知识 BJT静态特性 BJT动态响应模型 MOS结构基础 MOSFET器件基础 JFET 和 MESFET简介 基本概念 Bipolar Junction Transistor 晶体管的发明 晶体管的特性 制备工艺 理想NPN掺杂分布 集电结外延，发射结离子注入 晶体管的静电特性 两个独立的PN结构成 背靠背二极管 工作原理 特性参数 发射效率(PNP) 基区输运系数 特性参数-1 共基极直流电流增益 特性参数-2 共发射极直流电流增益 小结 B
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半导体器件基础第2讲.pptx
上讲主要介绍了以下基本内容：回顾回顾上讲主要介绍了以下基本内容：PN结形成：扩散、复合、空间电荷区（耗尽层、势垒区、阻挡层、内建电场）、动态平衡PN结的单向导电性：正偏导通、反偏截止PN结的特性曲线：正向特性：导通电压反向特性：反向饱和电流、温度影响大击穿特性：电击穿（雪崩击穿、齐纳击穿）、热击穿PN结的电容效应：势垒电容、扩散电容
结构：分类：半导体二极管的结构及分类二极管(Diode)=PN结+管壳+引线按材料分：硅二极管、锗二极管按结构分：点接触型、面接触型和平面型1.2.4半导体二极管及其参数
(1)点接触型二极管面接触型二极管PN结面积大，用于工频大电流整流电路。平面型二极管PN结面