现代集成电路半导体器件_13041276.pdf

半导体器件基础—集成电路.ppt * * 集成电路工艺结构 P-sub N+ N－well P+ VSS VDD P+ N+ RS1 RS2 RW2 RW1 * 半导体器件原理 * * 提纲半导体中的载流子及其运动 P-N结的特性 MOS晶体管工作原理及特性 MOS 晶体管电路基本结构单元及特性硅平面工艺简介（E/D NMOS工艺结构介绍） * * 半导体中的载流子及其运动硅单晶正四面体，金刚石结构，晶体的性质与晶向有关，表面的性质与晶面有关硅原子最小距离：0.235nm 晶格常数：0.543089nm * * 半导体中的载流子及分布半导体的电阻率介于导体和绝缘体之间导体：ρ＜

2016-11-23 约字 31页立即下载

2019-06-25 约9.9万字 56页立即下载

2019-06-25 约25.2万字 132页立即下载

GB/T 20515-2006半导体器件　集成电路　第5部分：半定制集成电路.pdf !# !!#$$ $ % ! # $ % ’ ’ ( ) * ! ! ! % ’ #$%% #$$!($’())% **’ !#$% ’ () ! * +, !!- .’

2021-06-01 约8.98千字 20页立即下载

GB/T 17940-2000半导体器件　集成电路　第3部分：模拟集成电路.pdf !# $%’(( ) *+ ! # $ % ’ ’ ( ) * . %012(3 ’((( ,- / 456!7 0289$:%18+ !#$% ’ ()

2021-05-30 约1.82万字 116页立即下载

半导体器件 第16-2部分：微波集成电路 预分频器2020.docx ICS FORMTEXT 31.080.1 FORMTEXT L 40 中华人民共和国国家标准 GB/T FORMTEXT .— FORMTEXT XXXX FORMTEXT 部分代替GB/T - FORMTEXT 半导体器件 第16-2部分：微波集成电路 预分频器 FORMTEXT Semiconductor devices—Part 16-2: Microwave integrated circuits - Frequency prescalers FORMTEXT （IEC 60747-16-2 Ed1.1:2001,IDT） FORMDROPDOWN FOR

2020-04-28 约1.46万字 26页立即下载

GB/T 16464-1996半导体器件　集成电路　第1部分：总则.pdf ics31.200 L 55 臀8 中华人民共和国国家标准 GB/T 16464一 1996 IEC748-1:1984 半导体器件 集成电路 第 1部分 :总则

2018-12-12 约4.1万字 24页立即下载

半导体器件的功率集成电路考核试卷 .pdf 半导体器件的功率集成电路考核试卷--第1页 半导体器件的功率集成电路考核试卷考生姓名：________________答题日期：_______年__月__日得分：_____________判卷人：_____________ 一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的） 1.半导体器件中最基本的单元是：（） A.二极管B.三极管C.场效应晶体管D.集成电路 2.以下哪种材料的导电性介于导体和绝缘体之间？（） A.金属B.硅C.空气D.水 3.在N型半导体中，哪种粒子为多数载流子？（） A.电子B.空穴C.离子D.原子 4.对于功

2025-03-20 约7.81千字 5页立即下载

2025年半导体器件的功率集成电路考核试卷 .pdf 好学近乎知，力行近乎仁，知耻近乎勇。——《中庸》 半导体器件的功率集成电路考核试卷考生姓名：________________答题日期：_______年__月__日得分：_____________判卷人：_____________ 一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的） 1.半导体器件中最基本的单元是：（） A.二极管B.三极管C.场效应晶体管D.集成电路 2.以下哪种材料的导电性介于导体和绝缘体之间？（） A.金属B.硅C.空气D.水 3.在N型半导体中，哪种粒子为多数载流子？（） A.电子B.空穴C.离子D.原子 4.

2025-03-11 约7.84千字 5页立即下载

GB/T 20870.4-2024半导体器件　第16-4部分：微波集成电路　开关.pdf ICS31.080.01 CCSL56 中华人民共和国国家标准 /—/: GBT20870.42024IEC60747-16-42017 半导体器件 : 第部分微波集成电路开关 16-4 — Semiconductordevices :— Part16-4MicrowaveinteratedcircuitsSwitches g (:,) IEC60747-16-42017IDT 2024-10-26发布2024-10-26实施国家市场监督管理总局发布国家标准化管理委员会 /—/: GBT20870.42024IEC60747-16-42017 目次前言…………………………Ⅲ 引言………

2024-12-31 约4.5万字 28页立即下载

GB/T 20870.4-2024半导体器件　第16-4部分：微波集成电路　开关.pdf ICS31.080.01 CCSL56 中华人民共和国国家标准 /—/: GBT20870.42024IEC60747-16-42017 半导体器件 : 第部分微波集成电路开关 16-4 — Semiconductordevices :— Part16-4MicrowaveinteratedcircuitsSwitches g (:,) IEC60747-16-42017IDT 2024-10-26发布2024-10-26实施国家市场监督管理总局发布国家标准化管理委员会 /—/: GBT20870.42024IEC60747-16-42017 目次前言…………………………Ⅲ 引言………

2024-12-29 约4.5万字 28页立即下载

GB/T 20870.4-2024半导体器件　第16-4部分：微波集成电路　开关.pdf ICS31.080.01 CCSL56 中华人民共和国国家标准 /—/: GBT20870.42024IEC60747-16-42017 半导体器件 : 第部分微波集成电路开关 16-4 — Semiconductordevices :— Part16-4MicrowaveinteratedcircuitsSwitches g (:,) IEC60747-16-42017IDT 2024-10-26发布2024-10-26实施国家市场监督管理总局发布国家标准化管理委员会 /—/: GBT20870.42024IEC60747-16-42017 目次前言…………………………Ⅲ 引言………

2025-01-01 约4.5万字 28页立即下载

半导体器件的光子集成电路考核试卷 .pdf 半导体器件的光子集成电路考核试卷考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________ 一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的） 1.半导体材料中，哪一种材料的禁带宽度最大？() A.硅B.锗C.砷化镓D.硅碳 2.光子集成电路中，下列哪种器件是基于光生伏特效应工作的？() A.光电探测器B.光开关C.光调制器D.光放大器 3.下列哪种材料常用于制作光开关？() A.硅B.砷化镓C.铌酸锂D.硅碳 4.在光子集成电路中，下列哪种结构可以实现光信号的放大？() A.光

2024-11-26 约5.14千字 5页立即下载

半导体器件 第16-2部分：微波集成电路 预分频器编制说明.doc 国家标准GB/T 20870.2《半导体器件 第16-2部分：微波集成电路 预分频器》（征求意见稿）编制说明一、工作简况 1 任务来源《半导体器件 第16-2部分：微波集成电路 预分频器》标准制定是2018年国家标准计划项目，计划项目批准文号：国标委发函【2018】83号，计划代号T-339，由中华人民共和国工业和信息化部提出，由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC 78）归口，主要承办单位为中国电子科技集团公司第十三研究所。项目起止时间：2019年~2020年。 2 主要工作过程 2.1 2019.06~2019.08 成立了编制组，编制组成员包括检验试验管理人员、长期从事

2020-05-01 约2.4千字 4页立即下载

半导体器件与集成电路抗静电放电(ESD)设计.doc 半导体器件与集成电路抗静电放电 ESD 设计罗，可靠性研究分析中心高级工程师，博士,主要从事微电子产品失效模式、失效机理、可靠性试验和评价技术、可靠性设计等方面的研究，承担或参加了多项国家科研项目，曾获省、部级科技进步奖多项。多次完成微电子失效元器件的失效机理分析及其失效预防措施研究，在微电子产品的可靠性试验评价和设计方面具有丰富的经验，在公开技术刊物和学术会议上发表多篇论文。从事半导体器件及集成电路的电路设计、工艺设计以及产品质量检测和可靠性分析（失效分析）的技术人员●了解系统的静电基础知识，先进静电控制原理与技术，如何通过设计避免静电的危害。●了解系统学习静电防护在电子产品设计方面的应用

2017-06-03 约小于1千字 1页立即下载