非易失性内存下环状哈希索引结构的技术剖析与优化策略.docx
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一、引言
1.1研究背景与动机
在信息技术飞速发展的当下，数据量呈爆发式增长，对存储系统的性能提出了前所未有的挑战。传统的易失性内存，如动态随机存取存储器（DRAM），虽在读写速度上具备一定优势，但存在断电数据丢失的致命缺陷，且随着数据规模的不断膨胀，其功耗和容量扩展方面的局限性愈发凸显。在此背景下，非易失性内存（Non-VolatileMemory，NVM）应运而生，凭借其独特的特性，为存储系统的变革带来了新的契机。
非易失性内存能够在断电后依然保持数据不丢失，这一特性从根本上改变了数据存储和处理的模式。像相变内存（PCM）、自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（STT-RAM）以及英特尔和美
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