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低维纳米结构：开启高性能非易失性存储器的创新之门
一、引言
1.1研究背景与意义
在信息技术飞速发展的当下，数据量呈爆发式增长，对存储技术的性能提出了极为严苛的要求。从日常使用的智能手机、平板电脑，到大规模数据中心和高性能计算机系统，存储技术无处不在，其性能的优劣直接影响着整个信息系统的运行效率和用户体验。例如，在大数据分析领域，海量数据的快速存储与读取是实现高效分析的关键；在人工智能领域，训练模型需要处理和存储大量的数据，对存储技术的读写速度和容量要求极高。因此，开发高性能的存储技术成为了推动信息技术持续进步的关键因素之一。
传统的存储技术，如基于浮栅闪存技术的非易失性存储器，在过去几十年
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