纳米二氧化硅抛光液对低k材料聚酰亚胺的影响_胡轶.pdf

852 2011 (42) * k 胡 轶, 刘玉岭, 刘效岩, 王立冉, 何彦刚 ( , 300130) : 以3 英寸的P 型111硅片为衬底, 经过旋 2 涂固化制备 介电常数( k) 材料聚酰亚胺对聚酰 亚胺进行化学机械抛光( CMP) ,考察实验前后, 纳米 3 P 111, 二氧化硅抛光液对 k 材料的结构和介电常数实验 , k 中应用了2 种纳米二氧化硅抛光液: 一种是传统的铜 , , 抛光液; 另 一种为新型的阻挡层抛光液通过扫描电 SPINC AT ER M DEL P6700, 2000r/ min, 镜(SEM) 和介电常数测试结果显示,2 种抛光液对 k 80 2h, 110 1h, 180 材料, 不论是在结构还是电特性方面的影响都不大 2.5h,, 40min 经铜抛光液抛光后, k 值从最初的3.0 变到3. 08; 经阻 , ( CMP) 挡层抛光液抛光后, k 值从最初的3. 0 变到3. 28实 AlpsitecE460-12, 践证明,这两种纳米二氧化硅抛光液可以应用于集成 Rohm Haas IC 1000 Pad 电路 k : : ; ; ; , pH 9.5; : TN406 : A , pH 7. 6 : 1001-9731(2011) -0852-03 k CMP 1 , Moisturi- 1 zer3000H ST EM k , , Agilent T echnologies B1500A 45nm , Semiconductor Device Analyzer, [ 1-4] , 1 , , T able 1 Polishing parameter , 抛光参数 抛光 水抛 [5-7] IC , ( CMP) 抛光头/ 盘转速 30/ 20r/ min 30/20r/min 工作压力 45mdaN/cm2 40mdaN/ cm2 [ 8, 9] 抛光液流量 62.5mL/min 62. 5mL/ min , , 抛光时间 30s 10s ,,