微电子概论试题（1）.docx

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“微电子概论”试题

考试日期：年月日考试时间：120分钟

考试方式：闭卷任课教师：班号：

学生姓名：学号：

1.(20分)名词解释

(1)半导体

(2)非平衡载流子

(3)pn结内建电势

(4)双极晶体管的特征频率

(5)场效应器件的阈值电压

(6)增强型MOSFET与耗尽型MOSFET

(7)EPROM与SRAM

(8)IP核与IP软核

(9)Fabless公司与Chipless公司

(10)单片集成电路（MonolithicIC）与混合集成电路（HybridIC）

2.(10分)

(1)为什么本征半导体中空穴浓度等于电子浓度，并且本征载流子浓度随着温度的升高而急剧增加。

(2)如何形成n型半导体？以n型半导体为例，说明什么是多数载流子和少数载流子？

3.(10分)

(1)什么是pn结击穿？

(2)对比说明雪崩击穿和隧道击穿的机理和特点。

4.(10分)

下图是长沟道增强型N沟MOSFET晶体管ID－VDS输出特性曲线

(1)在图中标识出截止区，

(2)在VG=4V的曲线上标示出线性区、过渡区、沟道夹断点、饱和区、击穿区。

5.(10分)

下图是一个CMOS反相器电路图以及相应的集成电路芯片剖面图。

(1)在剖面图中标识出输入和输出端口in和out的位置，以及n阱、NFET、PFET、栅、源、漏区域。

(2)列出与该剖面图对应的工艺流程

6.(10分)

(1)说明平面工艺中“选择性掺杂”的含义和作用。

(2)说明双极工艺中“pn结隔离”与“沟槽隔离”的特点以及工艺实现流程。

7.(10分)以框图形式简要说明典型运算放大器的基本组成，并说明模拟集成电路中的“电路”设计特点.

8.(10分)简要说明专用集成电路设计中下面几种设计方法的含义和特点：

(1)门阵列设计方法；

(2)可编程逻辑阵列设计方法；

(3)可编程逻辑器件设计方法；

9.(10分)

(1)说明采用CAD技术完成模拟集成电路设计（直到版图设计）的基本流程，并说明每一阶段需要使用哪种类型的CAD软件工具。

(2)对比上述模拟集成电路设计流程，说明采用CAD技术完成数字电路系统设计的主要特点和差别。