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RX72N系列的存储器系统

1.存储器概述

RX72N系列单片机具有丰富的存储器资源，包括片内闪存、RAM、EEPROM等。这些存储器资源为系统提供了高效的数据处理和存储能力。本节将详细介绍RX72N系列单片机的存储器系统，包括各种存储器的类型、容量、访问方式和使用场景。

1.1片内闪存

片内闪存是RX72N系列单片机中的主要程序存储器，用于存储用户代码和常量数据。闪存的访问速度快，具有较长的寿命和较高的可靠性。RX72N系列单片机的片内闪存容量通常在512KB到2MB之间，具体容量取决于不同的型号。

1.1.1闪存结构

闪存分为多个块，每个块又分为多个页。块和页的大小因型号而异。例如，RX72N系列的一个典型型号可能具有以下闪存结构：

块大小：64KB

页大小：256字节

1.1.2闪存访问

闪存可以通过多种方式访问，包括读取、编程和擦除。读取操作非常快，通常在单个时钟周期内完成。编程和擦除操作则需要较长的时间，具体时间取决于块和页的大小。

1.2片内RAM

片内RAM是RX72N系列单片机中的主要数据存储器，用于存储变量、堆栈和缓存数据。RAM的访问速度非常快，通常在单个时钟周期内完成。RX72N系列单片机的片内RAM容量通常在384KB到512KB之间，具体容量取决于不同的型号。

1.2.1RAM结构

RAM分为多个区域，每个区域的用途不同。例如，RX72N系列的一个典型型号可能具有以下RAM结构：

通用RAM：320KB

高速RAM：128KB

系统RAM：32KB

1.2.2RAM访问

RAM的访问方式简单直接，可以通过标准的读写指令进行操作。高速RAM的访问速度更快，适用于需要高带宽的应用场景。

1.3片内EEPROM

片内EEPROM是RX72N系列单片机中的非易失性数据存储器，用于存储需要在掉电后保留的数据。EEPROM的访问速度较慢，但具有较高的擦写寿命。RX72N系列单片机的片内EEPROM容量通常在4KB到16KB之间，具体容量取决于不同的型号。

1.3.1EEPROM结构

EEPROM分为多个页，每个页的大小通常为32字节。页的擦写操作需要较长时间，但可以保证数据的长期保存。

1.3.2EEPROM访问

EEPROM的访问方式包括读取、编程和擦除。读取操作较快，编程和擦除操作则需要较长的时间。EEPROM的访问通常通过特定的库函数来实现。

2.存储器映射

RX72N系列单片机的存储器映射是其存储器系统的重要组成部分，决定了各种存储器的地址范围和访问方式。了解存储器映射有助于开发者高效地使用存储资源。

2.1存储器映射表

存储器映射表详细列出了各种存储器的地址范围。以下是一个典型的RX72N系列单片机的存储器映射表：

存储器类型|地址范围|容量|

|————|——————|——-|

闪存|0-0x001FFFFF|2MB|

通用RAM|0-0x1007FFFF|512KB|

高速RAM|0-0x2001FFFF|128KB|

系统RAM|0-0x20027FFF|32KB|

EEPROM|0-0x30003FFF|16KB|

2.2存储器访问指令

存储器访问指令用于读写各种存储器。以下是一些常见的存储器访问指令：

读取指令：LD、LDR、LDM

写入指令：ST、STR、STM

2.2.1读取指令示例

;从闪存中读取数据

LDR1,(0;读取闪存地址0的数据到寄存器R1

;从通用RAM中读取数据

LDRR2,(0;读取通用RAM地址0的数据到寄存器R2

;从高速RAM中读取数据

LDMR3,(0;读取高速RAM地址0的数据到寄存器R3

2.2.2写入指令示例

;向闪存中写入数据

;注意：闪存写入需要特定的编程和擦除操作

;以下示例为简单的RAM写入

ST(0,R1;将寄存器R1中的数据写入通用RAM地址0

;向高速RAM中写入数据

STR(0,R2;将寄存器R2中的数据写入高速RAM地址0

;向系统RAM中写入数据

STM(0,R3;将寄存器R3中的数据写入系统RAM地址03.存储器管理

存储器管理涉及存