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高性能之路：高质量半导体型单壁碳纳米管薄膜在TFT器件中的创新与突破
一、引言
1.1研究背景与意义
随着信息技术的飞速发展，半导体集成电路技术不断演进，摩尔定律在过去几十年里一直推动着芯片性能的提升，通过不断缩小晶体管尺寸，实现了芯片集成度的提高和性能的增强。然而，当晶体管尺寸缩小至纳米尺度时，传统硅基材料面临着诸多严峻挑战，如短沟道效应导致的漏电增加、功耗上升以及制造成本急剧攀升等问题，这使得硅基技术逐渐逼近其物理极限，摩尔定律的延续变得愈发艰难，后摩尔时代已然来临。在这样的背景下，寻找新型的晶体管材料以突破硅基技术的瓶颈，满足未来集成电路对高性能、低功耗和高集成度的需求，成为了学术界
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