电子科大微电子考研资料《模拟电路基础》 20091208 功率器件及极限参数限制.ppt
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Chap6模拟集成单元电路（10学时，第5课）ylzhang@ee.uestc.edu.cn
一.双极型功率晶体管（BJT）1.功率管的选择(1)PTmax≥0.2PLmax(2)|BVCEO|2VCC(3)ICmax＞VCC/RC在互补推挽功率放大电路中,功率管的极限参数应满足以下关系：功率器件
1.V型NMOS管的结构结构剖面图二.功率MOSFETs源极g栅极金属源极SiO2沟道沟道外延层衬底d漏极_N+PPNN+N+2.V型NMOS管的主要特点(1)开关速度高(2)驱动电流小(3)过载能力强(4)易于并联
IGBT等效电路dT1gsRT2IGBT电路符号gsdT三.绝缘栅双极型晶体管（IGBT）IGBT主要特点：(1)输入阻抗高(2)工作速度快(3)通态电阻低(4)阻断电阻高(5)承受电流大兼顾了MOSFET和BJT的优点，成为当前功率半导体器件发展的重要方向。
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