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新型分段浅槽隔离LDMOS器件的性能优化与应用潜力研究
一、引言
1.1LDMOS器件的发展与应用
在现代功率集成电路领域,LDMOS(LateralDouble-diffusedMetalOxideSemiconductor,侧向双扩散金属氧化物半导体)器件凭借其独特的性能优势,占据着举足轻重的地位。自20世纪60年代末被提出以来,LDMOS器件经历了漫长且关键的发展历程,从最初的概念设想逐步演进为如今广泛应用于多个领域的成熟功率器件。
早期的LDMOS器件主要作为开关器件应用于电源及电机控制等基础领域。当时,半导体技术尚处于发展初期,工艺水平有限,LDMOS
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