2025中国科学院微电子研究所集成电路制造技术全国重点实验室副主任招聘3人模拟试卷含答案解析.docx
2025中国科学院微电子研究所集成电路制造技术全国重点实验室副主任招聘3人模拟试卷含答案解析
姓名：__________考号：__________
题号
一
二
三
四
五
总分
评分
一、单选题(共10题)
1.在集成电路制造中，光刻技术主要应用于哪个阶段？()
A.基板制备
B.沉积
C.光刻
D.刻蚀
2.下列哪种材料不是常用的半导体材料？()
A.硅
B.锗
C.钙
D.砷化镓
3.在集成电路制造过程中，哪一步骤通常会导致硅片表面产生缺陷？()
A.沉积
B.光刻
C.刻蚀
D.化学气相沉积
4.MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中的“MOS”代表什么？()
A.金属-氧化物-半导体
B.金属-氧化物-场效应
C.金属-氧化物-晶体管
D.金属-氧化物-半导体场效应
5.在集成电路制造中，哪一步骤用于将电路图案转移到硅片上？()
A.沉积
B.光刻
C.刻蚀
D.化学气相沉积
6.下列哪种设备在集成电路制造中用于清洗硅片？()
A.刻蚀机
B.沉积机
C.清洗机
D.光刻机
7.在集成电路制造中，哪一步骤用于在硅片上形成导电层？()
A.沉积
B.光刻
C.刻蚀
D.化学气相沉积
8.下列哪种工艺在集成电路制造中用于形成绝缘层？()
A.沉积
B.光刻
C.刻蚀
D.化学气相沉积
9.在集成电路制造中，哪一步骤用于在硅片上形成导电通道？()
A.沉积
B.光刻
C.刻蚀
D.化学气相沉积
10.在集成电路制造中，哪一步骤用于在硅片上形成源极和漏极？()
A.沉积
B.光刻
C.刻蚀
D.化学气相沉积
二、多选题(共5题)
11.在集成电路制造中，以下哪些工艺步骤属于前端制造（Front-EndofLine,FEOL）？()
A.沉积
B.光刻
C.刻蚀
D.化学气相沉积
E.后端制造（Back-EndofLine,BEOL）
12.以下哪些因素会影响集成电路的制造良率？()
A.设备精度
B.材料质量
C.制造工艺
D.环境条件
E.操作人员技能
13.在集成电路制造中，以下哪些技术属于先进制造技术？()
A.纳米加工技术
B.3D集成电路制造
C.智能制造技术
D.激光加工技术
E.传统制造技术
14.以下哪些材料在集成电路制造中用于形成绝缘层？()
A.氧化硅（SiO2）
B.多晶硅
C.硅氮化物（Si3N4）
D.硅（Si）
E.金（Au）
15.以下哪些工艺在集成电路制造中用于形成金属互连？()
A.化学气相沉积（CVD）
B.溶液沉积（SD）
C.离子束刻蚀
D.化学机械抛光（CMP）
E.电镀
三、填空题(共5题)
16.集成电路制造中的光刻工艺中，使用的光源主要是_________。
17.MOSFET晶体管中的栅极材料通常采用_________。
18.集成电路制造中，用于移除硅片上不需要材料的工艺称为_________。
19.集成电路制造中，用于在硅片表面形成导电层的工艺称为_________。
20.集成电路制造中的化学气相沉积（CVD）工艺，其主要目的是在硅片表面形成_________。
四、判断题(共5题)
21.MOSFET晶体管的漏极电流完全由栅极电压控制。()
A.正确B.错误
22.在集成电路制造过程中，沉积和刻蚀是互斥的工艺步骤。()
A.正确B.错误
23.化学气相沉积（CVD）工艺只能用于形成绝缘层。()
A.正确B.错误
24.光刻技术是集成电路制造中唯一用于形成电路图案的工艺。()
A.正确B.错误
25.集成电路制造中，所有材料都必须在高温下进行加工。()
A.正确B.错误
五、简单题(共5题)
26.请简述MOSFET晶体管的工作原理。
27.什么是光刻工艺，它在集成电路制造中扮演什么角色？
28.什么是化学气相沉积（CVD）工艺？它在集成电路制造中有哪些应用？
29.请描述集成电路制造中刻蚀工艺的基本过程。
30.集成电路制造中的热处理工艺有哪些作用？
2025中国科学院微电子研究所集成电路制造技术全国重点实验室副主任招聘3人模拟试卷含答案解析
一、单选题(共10题)
1.【答案】C
【解析】光刻技术是集成电路制