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高密度低应力空心TSV的结构创新与制造工艺优化研究.docx

发布：2025-05-03约2.59万字共20页下载文档
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高密度低应力空心TSV的结构创新与制造工艺优化研究

一、引言

1.1研究背景

随着信息技术的飞速发展，电子设备不断向小型化、高性能、多功能的方向演进。在这一背景下，三维（3D）集成技术应运而生，成为制造低功耗、高性能和高集成密度器件的关键技术，有望突破摩尔定律的限制。而硅通孔（TSV，ThroughSiliconVia）技术作为3D集成的核心，凭借其缩短互连路径和减小封装尺寸的显著优势，在现代半导体制造中占据着举足轻重的地位。

在诸多高密度应用场景中，如近传感器和传感器内计算、混合存储器立方体、高带宽存储器（HBM）、互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器、制冷和非制冷焦平面阵列

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