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有限元法在压接型IGBT器件单芯片子模组疲劳寿命预测中的应用与研究.docx

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有限元法在压接型IGBT器件单芯片子模组疲劳寿命预测中的应用与研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子技术飞速发展的时代，功率半导体器件作为电能转换与电路控制的核心，广泛应用于各个领域。绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）以其独特的优势，成为现代电力电子系统中的关键部件。IGBT综合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高输入阻抗、快速开关特性以及双极型晶体管（BJT）的低导通电阻优势，具有电导调制能力，能实现高效的电能转换与控制，被广泛应用于电机驱动、新能源发电、变频器、电动汽车以及智能电网等领域。

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