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碳化硅纳米线：生长热力学机制与多元制备技术探究
一、引言
1.1研究背景与意义
随着科技的飞速发展，纳米材料因其独特的物理和化学性质，在众多领域展现出巨大的应用潜力，成为材料科学领域的研究热点。碳化硅纳米线（SiCNanowires，SiCNWs）作为一种典型的一维纳米材料，凭借其优异的性能，在半导体和结构增强材料等领域占据着举足轻重的地位。
碳化硅（SiC）本身是第三代半导体的核心材料之一，与传统的硅、砷化镓等半导体材料相比，具有宽带隙、高电子饱和速度、高击穿场强、高热导率以及良好的化学稳定性等显著优势。这些特性使得SiC非常适合用于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成的电子
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