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面向高效能应用的GaN垂直型沟槽MOS肖特基二极管结构设计与优化策略研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代电力系统中，高效、可靠的电力转换与控制至关重要，而半导体功率器件作为实现这一目标的核心元件，其性能的优劣直接影响着整个电力系统的运行效率与稳定性。随着科技的飞速发展，对功率器件的要求也越来越高，不仅需要具备高耐压、低导通电阻等特性，还要求在高频、高温等恶劣环境下能够稳定工作。
GaN垂直型沟槽MOS肖特基二极管作为一种新型的功率器件，凭借其独特的结构和优异的性能，在众多领域展现出了巨大的应用潜力。GaN材料具有宽带隙、高电子迁移率和高临界电场等优点，使其在高压和大功率应用中
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