场效应管及其放大电路课件.ppt

4.3.3各種場效應管特性比較及注意事項1.各種場效應管特性比較表4.3.1表4.3.1各種類型的場效應管的特性表4.3.1各種類型的場效應管的特性2.使用注意事項（1）有些場效應電晶體將襯底引出,故有4個管腳,這種管子漏極與源極可互換使用。（2)源極和漏極的互換（3）使用場效應管時各極必須加正確的工作電壓。(4)焊接時,須注意.4.4場效應管放大電路

與三極管一樣,根據輸入、輸出回路公共端選擇不同,將場效應管放大電路分成共源、共漏和共柵三種組態。本節主要介紹常用的共源和共漏兩種放大電路。4.4.1FET的直流偏置電路及靜態分析1.直流偏置電路自偏壓電路;如圖4.4.1(a)分壓式自偏壓電路;如圖4.4.1(b)Rd＋Cb2＋UDD－uo＋Rs＋CsRg＋Cb1＋－ui如圖4.4.1FET的偏壓電路(a)自偏壓電路;Rd＋Cb2＋UDD－uo＋Rs＋CsRg1Rg3Rg2＋Cb1＋－uiRg1，Rg2：柵極分壓電阻使柵極獲得合適的工作電壓柵極電阻：用來提高輸入電阻圖4.4.1FET偏壓電路(b)分壓式自偏壓電路場效應管放大電路引言場效應管按結構分為結型場效應管（JFET)和金屬-氧化物-半導體場效應管(MOSFET)兩類。4.1結型場效應管4.1.1JFET(結型場效應管)的結構和工作原1.結構如圖4.1.1和圖4.1.2所示,在一塊N型矽半導體兩側製作兩個P型區域,形成兩個PN結,把兩個P型區相連後引出一個電極,稱為柵極,用字母G(或g)表示。源極s和漏極d。dsgd漏極g柵極PPN耗盡層s源極(a)(b)圖4.1.1N溝道(JFET)結型場效應管結構與符號圖(a)結構;(b)N溝道結型場效應管符號;d漏極g柵極NNP耗盡層s源極dsg(a)(b)圖4.1.2P溝道(JFET)結型場效應管結構與符號圖(a)結構;(b)P溝道結型場效應?2.工作原理(1)vGS對ID的控制作用:夾斷電壓vDS對ID的影響:(1）UGS對導電溝道的影響當UGS＝０時，場效應管兩側的PN結均處於零偏置，形成兩個耗盡層,如圖4.1.3（ａ）所示。此時耗盡層最薄，導電溝道最寬，溝道電阻最小。當|UGS|值增大時，柵源之間反偏電壓增大，PN結的耗盡層增寬，如圖4.1.3（b）所示。導致導電溝道變窄，溝道電阻增大。?當|UGS|值增大到使兩側耗盡層相遇時，導電溝道全部夾斷，如圖4.1.3（c）所示。溝道電阻趨於無窮大。對應的柵源電壓UGS稱為場效應管的夾斷電壓，用VP來表示。圖4.1.3VDS=0時，柵源電壓UGS對導電溝道的影響（a）導電溝道最寬;（b）導電溝道變窄;（c）導電溝道夾斷N溝道DGSNDGSUGGPPP(b)DGSUGG耗盡層(a)(c)PPP2）UDS對導電溝道的影響設柵源電壓UGS=0,當UDS=0時，ID=0，溝道均勻，如圖4.14所示。當UDS增加時，漏極電流ID從零開始增加，ID流過導電溝道時，沿著溝道產生電壓降，使溝道各點電位不再相等，溝道不再均勻。靠近源極端的耗盡層最窄，溝道最寬;靠近漏極端的電位最高，且與柵極電位差最大，因而耗盡層最寬，溝道最窄。由圖4.14可知，UDS的主要作用是形成漏極電流ID。dgSUDDiDPPuDS＋－＋－－NR