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SiC MOSFET器件参数对并联均流影响的深度剖析与策略研究.docx

发布：2025-04-16约2.21万字共17页下载文档

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SiCMOSFET器件参数对并联均流影响的深度剖析与策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代功率电子领域，随着能源需求的增长和电力系统的不断发展，对高效、高功率密度的功率器件的需求日益迫切。碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为一种新型宽禁带半导体器件，凭借其卓越的性能优势，如低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度、高导热性、高开关频率以及宽工作温度范围等，在众多领域得到了广泛应用，如电动汽车、可再生能源发电（太阳能、风能等）、工业自动化、航空航天以及智能电网等。

以电动汽车为例，其核心部件之一的逆变器对功率器件的性能要求极高。SiCMOSFET的

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