电工半导体二极管及直流稳压电源.ppt

隔离作用 （4）输出电压可调的电路 1、固定输出的三端集成稳压器 ~24V ~24V ~220 V W7815 W7915 1 3 2 3 2 1 + + C C 1000 ?F 1000 ?F Ci 0.33 ?F Ci 0.33 ?F CO 1?F CO 1 ?F +15 V ?15 V （5）具有正、负两路输出的稳压电路 1、固定输出的三端集成稳压器 输出电压UREF＝1.25V，调整端电流只有几微安。 正输出集成稳压器系列CW117（军用）、CW217（工业用）、CW317（民用） 负输出有CW137（军用）、CW237（工业用）、CW337（民用） 2. 基准电压源三端可调式稳压器 W117 （1）简介 * 减小纹波电压 保护 稳压器 （2）基本应用 2. 基准电压源三端可调式稳压器 W117 1. R1的上限值为多少？ 2. UO可能的最大值为多少？ 3. 输出电压最小值为多少？ 决定于IOmin 两种情况：1.已知UI 2.自己选取UI 决定于W117的输出 讨论：W117的应用 4. UOmax＝30V，选取R1、 R2； 5. 已知电网电压波动±10％，输出电压最大值为30V， UI至少取多少伏？ 输入电压最低、输出电压最高时，UImin－UOmax＞3V。 根据输出电压表达式 讨论：W117的应用 * 【例】 电路如图所示，集成稳压器7824的2、3端电压U32=UREF=24V，求输出电压UO和输出电流IO的表达式，说明该电路具有何种作用。 解： 2.3.4三端集成稳压器 * 半导体器件的型号命名由5部分组成 2CP21A： 普通N型硅材料二极管，序号21，规格号A 2.4 半导体器件型号命名及方法 * 讲明为什么选择整流二极管仅依据IF和UR。 第2章 半导体二极管及直流稳压电源 * 第2章 半导体二极管及直流稳压电源 2.1 半导体二极管的外部特性 2.2 晶体二极管电路的分析方法 2.3 晶体二极管的应用及直流稳压电源 2.4 半导体器件型号命名及方法 1、半导体材料及PN结 在电子元器件中，用得最多的材料是硅Si、锗Ge，均为四价元素。 硅、锗属于半导体——导电特性介于导体和绝缘体之间。 2.1 半导体二极管的外部特性 一、半导体二极管的基本结构 磷（P） 一、半导体二极管的基本结构 硼（B） N型半导体 P型半导体 将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。 小功率二极管 大功率二极管 稳压 二极管 发光 二极管 一、半导体二极管的基本结构 按结构分，有点接触型和面接触型两类。 点接触型 金锑合金 面接触型 N型锗 正极引线 负极引线 PN 结 底座 铝合金小球 引线 触丝 N 型锗 外壳 一、半导体二极管的基本结构 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 二极管的伏安特性的测试电路 U mA V D R RW （a）测正向特性 U μA V D R RW （b）测反向特性 二、二极管的伏安特性 加反向电压，简称反偏。 正向电压，简称正偏 二、二极管的伏安特性 开启电压Uth: 硅管0.5V，锗管0.1V 导通电压（管压降）UD（on） 硅管0.6~0.8V,锗管0.1~0.3V 反向击穿电压UBR uD（V） i（mA） 死区电压 低电阻, 大的正向电流 高电阻, 很小的反向电流 当0＜uD ＜Uth时，正向电流为零，Uth称为死区电压或开启电压。 当uD＞0即处于正向特性区域。 正向区又分为两段： 当uD ＞Uth时，开始出现正向 电流，并按指数规律增长。 开启电压 二、二极管的伏安特性 1.二极管的正向特性 当uD＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 当UBR＜uD＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当uD≥UBR时，反向电流急剧增加，UBR称为反向击穿电压 。 锗二极管2AP15的伏安特性 击穿电压 二、二极管的伏安特性 2.二极管的反向特性 二、二极管的伏安特性 材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流 硅Si 0.5V 0.5~0.8V 1μA以下 锗Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十μA 二极管伏安特性特征参数 * (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压UBR和最大反向工作电压UR