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sisn共掺杂氧化镓的第一性原理计算.pdf

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题目：Si，Sn共掺杂氧化镓的第一性原理计算

摘要

近几年，由于氧化镓(β-Ga2O3)本身具有良好的稳定性、超宽带隙(4.9eV)和优良的物理化学特

性在光电导传感、太阳能电池、超高压功率器件等方面扮演着极其重要的角色。

由于掺杂可以调控β-Ga2O3的电子结构和物理化学性质，从而拓宽其应用领域。此外，由于共

掺杂缺陷间存在相互作用，可以打破原本单一掺杂中溶解度的限制，减小跃迁能级，从而提升材料导

电性。因此，寻找合适的掺杂剂并探寻最有效的掺杂方式是获得高性能Ga2O3的关键所在。第一性原

理计算可以在较低成本下筛选合适的掺杂剂，调控材料的电学性质，揭示

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