模电助教版第1章常用半导体器件FE.ppt

例:共源极放大电路.分析iD,uDS.＋VGG－4.5VdgsiDiO＋uO=uDS－＋uI=uGSiI－＋VDD－15VRd7.5k?输入回路令UGS（th）=3V输出回路+-ui1.静态工作点(ui=0V时)输入静态点:iI=iGS=IGSQ=0mAuI=uGS=UGSQ=4.5V输出静态点:iO=iD=IDQ=？uO=uDS=UDSQ=？利用:①iD=f(uDS)|uGS=4.5V②uO=uDS=VDD－iD·Rd即iD=－uDS/Rd＋VDD/Rd1.3.4NMOS应用(“图解法”分析)故IDQ=0.9mAUDSQ=8.2V1.3场效应晶体三极管(“FET”)P451.3.1绝缘栅场效应管(“IGFET”)FET分:1.IGFET————1.NMOS——①增强型(6种管子)(又称“MOSFET”)②耗尽型2.PMOS——①增强型②耗尽型2.JFET—————1.N沟道2.P沟道dgBsdgBsdgBsdgBsdgsdgs1.3场效应晶体三极管(“FET”)P451.3.1绝缘栅场效应管(“IGFET”)FET分:1.IGFET————1.NMOS——①增强型(6种管子)(又称“MOSFET”)②耗尽型2.PMOS——①增强型