一种无仓门式微波等离子化学气相沉积系统.pdf

一种内壁镀膜用微波等离子体化学气相快速沉积系统.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213172565 U (45)授权公告日 2021.05.11 (21)申请号 202021467856.7 (22)申请日 2020.07.22 (73)专利权人深圳市八六三新材料技术有限责

2023-03-02 约9.85千字 10页立即下载

一种微波等离子体化学气相连续沉积系统.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213172566 U (45)授权公告日 2021.05.11 (21)申请号 202021476959.X (22)申请日 2020.07.22 (73)专利权人深圳市八六三新材料技术有限责

2023-03-02 约8.71千字 9页立即下载

2025-03-24 约1.7万字 30页立即下载

中国微波等离子体化学气相沉积系统行业市场占有率及投资前景预测分析报告.pdf 中国微波等离子体化学气相沉积 系统行业市场占有率及投资前景预测分析报告博研咨询市场调研在线网北京博研智尚信息咨询有限公司中国微波等离子体化学气相沉积系统行业市场占有率及投资前景预测分析报告中国微波等离子体化学气相沉积系统行业市场占有率及投资前景预测分析报告正文目录第一章中国微波等离子体化学气相沉积系统行业定义3

2025-02-19 约3.28万字 36页立即下载

用于各向异性沉积薄膜的带状射束等离子体增强化学气相沉积系统.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114829671 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202080087241.8 彼得 ·F ·库鲁尼西　 (22)申请日 2020.10.25

2023-05-12 约1.49万字 14页立即下载

2023-12-20 约小于1千字 34页立即下载

《等离子体化学气相沉积镀膜教学课件》.ppt 等离子体化学气相沉积镀膜技术概论;课程学习目标与意义;等离子体技术的基本定义;等离子体的物理特性;等离子体形成的基本原理;等离子体能量与状态转换;化学气相沉积（CVD）技术简介;CVD技术的基本工作原理;等离子体增强CVD的特点;等离子体CVD与传统CVD的区别;等离子体CVD设备结构解析;等离子体发生器的类型;电极设计与等离子体稳定性;反应腔体结构与气流控制;气体输送与质量流控制系统;等离子体参数测量技术;温度测量与控制;压力监测与调节;电子密度与能量分布;镀膜前表面处理技术;基底清洁与预处理;表面活化与改性;等离子体镀膜工艺参数;沉积速率控制;膜层均匀性研究;薄膜成分与结构调控;化学反应动

2025-03-02 约小于1千字 58页立即下载

等离子体增强化学气相沉积仪.pdf 等离子体增强化学气相沉积仪 1.仪器功能：能够沉积氧化硅，氮化硅，碳化硅、非晶硅和其他薄膜（在工作人员的许可下）的一种多用途工具。 2.样品材料要求 8 基底尺寸≤英寸 3.设备培训和参考资料 3.1本设备需经过使用资格考核。 3.2考核方法 3.2.1向平台工程师领取考核表，观摩一般用户或超级用户使用3次，请一般用户 3 签名，收集个签名后，即可申请上机考核。 3.2.2联系超级用户预约上机考核时间。

2024-11-19 约1.38万字 23页立即下载

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)综述.doc 等离子体增强化学气相沉积（PECVD）综述摘要：本文综述了现今利用等离子体技术增强化学气相沉积（CVD）制备薄膜的原理、工艺设备现状和发展。关键词：等离子体；化学气相沉积；薄膜；一、等离子体概论基本概念性质只要绝对温度不为零，任何气体中总存在有少量的分子和原子电离并非任何的电离气体都是等离子体严格地说，只有当带电粒子密度足够大，能够达到其建立的空间电荷足以限制其自身运动时，带电粒子才会对体系性质产生显著的影响，换言之，这样密度的电离气体才能够转变成等离子体。此外，等离子体的存在还有空间和时间限度，如果电离气体的空间尺度L下限不满足等离子体存在的LlD（德拜长度lD）的条件，或者电离气体的

2017-09-07 约2.47千字 8页立即下载

等离子体增强化学气相沉积装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213142185 U (45)授权公告日 2021.05.07 (21)申请号 202022674599.0 (22)申请日 2020.11.18 (73)专利权人乐金显示光电科技（中国）有限公

2023-02-27 约9.39千字 8页立即下载

等离子体辅助化学气相沉积技术—姜帆.pptx 等离子体辅助化学气相沉积技术主讲人：姜帆班级：金材1302 学号：2013000772 在低压化学气相沉积过程进行的同时，利用辉光放电等离子体对沉积过程施加影响的技术称为等离子体辅助化学沉积（PECVD）技术。技术原理： 等离子体化学气相沉积技术原理是利用低温等离子体（非平衡等离子体）作能量源，工件置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使工件升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在工件表面形成固态薄膜。 PECVD装置的典型结构在PECVD装置中，可以利用各种方法来产生所需要的等离子体。比如，二级直流辉光放电的方法、射频辉光发

2017-06-06 约小于1千字 10页立即下载

一种等离子气相沉积制备疏水膜的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114453213 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202111629022.0 (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人佛山市思博睿科技有限公司地址 5

2023-05-05 约1.14万字 14页立即下载

一种常压自点火式微波等离子炬及微波等离子发生系统.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213152451 U (45)授权公告日 2021.05.07 (21)申请号 202022564381.X (22)申请日 2020.11.09 (66)本国优先权数据 2020101

2023-03-02 约1.9万字 30页立即下载

实验二等离子体增强化学气相沉积制备薄膜..doc 实验二 等离子体增强化学气相沉积制备薄膜实验目标了解等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备薄膜的基本原理。了解等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备薄膜的实验流程。实验原理 化学气相沉积(CVD)原理 化学气相沉积是通过一定能量(热、等离子体、光、超声等)激发含有构成薄膜元素的气态前驱物(一种或多种化合物以及单质)经过一定的化学反应而在基片上形成固态薄膜。 CVD工艺（以硅烷气体(SiH4)分解形成多晶硅为例）：如图1所示一个简单的反应器，具有一个管道，管道壁温度维持在Tw，单个基片放置在管道中央的加热基座上，基座温度为Ts，通常保持TsTw。，假设气体从左

2017-01-18 约字 6页立即下载

等离子体增强化学气相沉积DLC膜的研究的开题报告.docx 等离子体增强化学气相沉积DLC膜的研究的开题报告标题：等离子体增强化学气相沉积DLC膜的研究研究背景和意义：钻碳膜（Diamond-likecarbon,DLC）是一种具有优异性能的薄膜材料，具有极高的硬度、低摩擦系数、良好的耐磨性和化学稳定性等优良特性，因此被广泛应用于汽车、机械、电子、光学等领域。然而，传统的DLC膜制备过程中存在严重问题，如沉积速率低、膜质量不稳定等。在此情况下，等离子体增强化学气相沉积（PE-CVD）技术因其过程简单、沉积速率快、沉积温度低、可实现大面积连续沉积等优点，成为制备DLC膜的主要技术之一。然而，传统的PE-CVD技术在制备DLC膜时还面临成分非均匀、微

2024-04-16 约1.95千字 3页立即下载