模电复习之选择题练习(含答案).docx

1．以下有关半导体的本征激发说法正确的是（C）

只产生电子；B．只产生空穴；

C．产生电子-空穴对；D．温度的变化对其影响甚微

2．PN结正向偏置时所呈现的特点是（A）

A.形成较大的正向电流，呈现较小的正向电阻； B.形成较小的正向电流，呈现较小的正向电阻；

C.形成较大的正向电流，呈现较大的正向电阻； D.形成较小的正向电流，呈现较大的正向电阻；

3．稳压二极管正常工作时应处于（D）状态下。

A.正向导通 B.反向截止 C.单向导电 D.反向击穿

4．三极管能起放大作用的外部条件是（C）。

A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结反偏，集电结反偏

C.发射结正偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结正偏

5．在不同组态的三极管放大电路中，具有“电压跟随”特点的组态为（B）。

A.共射极组态 B.共集电极组态

C.共基极组态 D.共漏极组态

6．某三极管工作在放大状态，如果三个极A、B、C对地电位分别为，，那么该管为（C）。

A.NPN硅管 B.PNP硅管

C.NPN锗管 D.PNP锗管

图17．某场效应管的转移特性曲线如图1所示，该管为（D）。

图1

A．P沟道增强型MOS管

B．P沟道结型场效应管

C．N沟道增强型MOS管

D．N沟道耗尽型MOS管

8．在集成运算放大器中，用差分放大电路作为输入级的原因是（A）

A．克服温漂

B．提高增益

C．提高输入电阻

D．稳定增益

9．带有恒流源的差分式放大电路如图2所示。关于恒流源的作用，说法错误的是(B)

图2

图2

B．增强对差模信号的放大能力

C．提高电路的共模抑制比

D．常采用三极管电流源电路的形式

10．以下关于运算放大器的说法不正确的是（C）

A.是一种高增益的多级放大电路；

B.采用直接耦合方式；

C.只能用来构成各种运算电路；

D.会产生零点漂移现象

11．已知放大器的输入信号频率为1～2kHz，为防止干扰信号进入放大器，应选用（A）

A．低通滤波器 B．高通滤波器

C．带通滤波器 D．带阻滤波器

12．在本征半导体中，通过本征激发所产生的载流子是（C）。

A.只有电子； B.只有空穴； C.电子－空穴对； D.以上答案都不对

13．当PN结处于反向偏置时，空间电荷区的宽度将（A）。

A.变宽 B.变窄 C.基本不变 D.不能确定

14．稳压二极管实现稳压作用是利用其（C）特性，所以必须外加（）电压才能实现稳压作用。

A．单向导电反向 B．反向击穿正向

C．反向击穿反向 D．单向导电正向

15．三极管的参数β是反映（?B?）能力的参数。

A．电压控制电压?B．电流控制电流C．电压控制电流?D．电流控制电压

16.某放大电路在负载开路时的输出电压的有效值为4V，接入2kΩ负载电阻后，输出电压有效值降为2V，则该放大电路的输出电阻为（D）

A.1kΩ B.2kΩ

C.3kΩ D.4kΩ

17．关于阻容耦合多级放大电路的特点，以下说法错误的是（???C??）

A．各级静态工作点相互独立

B．不便于集成，多用于分立元件放大电路

C．存在零点漂移现象

D．低频特性较差，不能用于放大直流或缓慢变化的交流信号

18．当栅源电压时，以下场效应管中不能工作在恒流区的是（??D???）

A．N沟道结型场效应管 B．N沟道耗尽型MOS管

C．P沟道耗尽型MOS管 D．N沟道增强型MOS管

19．以下关于理想运算放大器的说法不正确的是（?C????）

A.是一种采用直接耦合的、高增益的多级放大电路；

B.可以用来构成各种运算电路；

C.总可以用“虚短”和“虚断”的概念来分析；

D.开环增益可认为无穷大

20．在集成电路中用电流源电路做有源负载，是因为电流源电路（C）。

A．直流电阻很大 B．直流电阻很小

C．交流电阻很大 D．交流电阻很小

21．在集成运算放大器中，用差分放大电路作为输入级的原因是（A）

A．克服温漂 B．提高增益