用于启动没有只读存储器的片上系统的方法、没有只读存储器的片上系统和耳机.pdf

只读存储器（ROM）.ppt 第三章组合逻辑电路 3.6 只读存储器（ROM）分类掩模 ROM 可编程 ROM（PROM — Programmable ROM）可擦除可编程 ROM（EPROM — Erasable PROM）说明: 掩模 ROM PROM 生产过程中在掩模板控制下写入，内容固定，不能更改内容可由用户编好后写入，一经写入不能更改紫外光擦除（约二十分钟） EPROM 存储数据可以更改，但改写麻烦，工作时只读 EEPROM 或 E2PROM 电擦除（几十毫秒） 3.6.1 ROM 的结构和工作原理 1. 基本结构一、ROM 的结构示意图地址输入数据输出 — n 位地址 — b

2017-03-22 约2.82千字 14页立即下载

第3节 只读存储器_附件.ppt * * 5.3 只读存储器 5.3.1　掩膜只读存储器 (MROM) 只读存储器(ROM)中的信息只能读出,不能写入,所以一般只能存放固定程序。 ROM的特点是非易失性。掩膜只读存储器制成后，用户不能修改。图5.18 掩膜ROM原理图字线位线 (0) (1) 5.3.2 可擦可编程ROM(EPROM) 该存储器利用编程器写入后，信息可长久保持，因此可作为只读存储器。当其内容需要变更时，可利用擦除器将其擦除，各单元内容复原为FFH。典型的EPROM芯片： 2716（2K*8） 2732（4K*8） 2764（8K*8） 27128（16K*8） 27256（32K*8）可擦可编程R

2017-07-07 约小于1千字 8页立即下载

《只读存储器》课件.ppt *********只读存储器的分类掩膜ROM(MROM)在制造过程中写入数据，不可编程。可编程ROM(PROM)可一次性写入数据，不可擦除。可擦可编程ROM(EPROM)可多次写入数据，需要紫外线擦除。电可擦可编程ROM(EEPROM)可多次写入数据，可以用电信号擦除。闪存(Flash)一种特殊的EEPROM，拥有更快的写入速度和更大的存储容量。只读存储器的应用场景计算机系统存储BIOS、引导加载程序和其他系统软件。智能手机存储操作系统、应用程序和其他关键数据。汽车存储汽车控制程序、传感器数据和安全信息。飞机存储飞行控制系统、导航数据和其他关键信息。掩膜只读存储器(MROM)概述掩膜ROM(M

2025-02-07 约2.69千字 26页立即下载

只读存储器和分类.doc 本科学年论文学院专业年级姓名论文题目指导教师职称成绩年月日目录摘要 1 Abstract·································

2017-10-30 约5.05千字 9页立即下载

7只读存储器ROM.ppt * 7.2 只读存储器（ROM）《数字电子技术》 §7.2 只读存储器（ROM）（1）ROM的特点： ROM中的信息可以随时读出，但不可以随时写入；数据不易丢失，断电亦保存； ROM无需刷新。（2）ROM的通常结构： 7.2 只读存储器（ROM）《数字电子技术》定义：存储单元——存储器中每存储1位二进制数的点；存储容量——存储器中总的存储单元的数量。存储容量 = 字线数m × 位线数j 7.2 只读存储器（ROM）《数字电子技术》 ◆ 掩模只读存储器（ROM） ◆ 可编程只读存

2017-03-24 约小于1千字 3页立即下载

第7章-只读存储器讲解.ppt 7.1 只读存储器 二、掩模只读存储器 三、可编程只读存储器 可擦除的可编程只读存储器 一、静态随机存储器（SRAM） 7.3 存储器容量的扩展及应用二、字扩展方式第一节 只读存储器 第7章半导体存储器 7.1 概述 7.3 随机存储器（RAM） 7.4 存储器的扩展 7.2 只读存储器（ROM） 7.5 存储器实现组合逻辑电路下页总目录概述掩模只读存储器 可编程只读存储器 返回下页上页半导体存储器是一种能存储大量二值信息（或称为二值的数据）的半导体器件。分类：从存储功能上可分为： 只读存储器（Read Only Memor

2017-02-15 约3.15千字 28页立即下载

3.4只读存储器和闪速存储器.ppt 只读存储器和闪速存储器 1、只读存储器 1.ROM的分类　只读存储器简称ROM，它只能读出，不能写入。它的最大优点是具有不易失性。　根据编程方式不同，ROM通常分为三类：　　　　　　　　　　 只读存储器 定　　义优　　点缺　点掩模式数据在芯片制造过程中就确定可靠性和集成度高，价格便宜不能重写　一次编程用户可自行改变产品中某些存储元可以根据用户需要编程只能一次性改写　多次编程可以用紫外光照射或电擦除原来的数据，然后再重新写入新的数据可以多次改写ROM中的内容表3.5 ROM的分类掩模ROM模

2015-09-27 约1.72千字 7页立即下载

7-2只读存储器ROM§7-2-1掩模只读存储器ROM.ppt 第七章半导体存储器 §7-1 概述 ROM 由制造工艺分： §7-2 只读存储器ROM 例2 MOS管ROM §7-3 随机存储器RAM §7-4 存储器容量的扩展 §7-5 用存储器实现组合逻辑函数 * * 7-1 概述 7-2 只读存储器ROM 7-3 随机存储器RAM §7-4 存储器容量的扩展 §7-5 用存储器实现组合逻辑函数随机存储器（Random Access Memory RAM）半导体存储器能存储大量二值信息，是数字系统不可缺少的部分 1、衡量指标存储速度 只读存储器（Read-Only Memo

2017-03-09 约2.26千字 20页立即下载

只读存储器原理讲述.ppt 只读存储器（ROM）分类掩模 ROM 可编程 ROM（PROM — Programmable ROM）可擦除可编程 ROM（EPROM — Erasable PROM）说明: 掩模 ROM PROM 生产过程中在掩模板控制下写入，内容固定，不能更改内容可由用户编好后写入，一经写入不能更改紫外光擦除（约二十分钟） EPROM 存储数据可以更改，但改写麻烦，工作时只读 EEPROM 或 E2PROM 电擦除（几十毫秒） 3.6.1 ROM 的结构和工作原理 1. 基本结构一、ROM 的结构示意图地址输入数据输出 — n 位地址 — b 位数据 A0 A1 An-1 D0

2017-03-23 约3.57千字 18页立即下载

3.8只读存储器（ROM）.ppt 真值表逻辑表达式阵列图 3、用ROM作字符发生器电路用ROM存储字符Z 3.8.3 ROM的容量扩展 EPROM芯片２７２５６正常使用时，VCC=5V，VPP=5V。编程时，VPP=25V。 OE为输出使能端，OE=0时允许输出；OE=1时，输出被禁止，ROM输出端为高阻态。 CS为片选端，CS=0时，ROM工作；CS=1时，ROM停止工作，且输出为高阻态（不论OE为何值）。 ROM输出能否被使能决定于当，ROM输出使能，否则将被禁止，输出端为高阻态。当，还会停止对ROM内部的译码器等电路供电，使其功耗降到ROM工作时的10%以下。片选信号

2017-03-09 约2.54千字 30页立即下载

用于保持在存储器系统中存储的数据的设备和方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114579040 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202110031993.9 (22)申请日 2021.01.11 (30)优先权数据 17/108,568 2020

2023-05-08 约4.79万字 35页立即下载

用于获得存储器系统中空闲存储块的设备和方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114817080 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202110995451.3 (22)申请日 2021.08.27 (30)优先权数据 10-2021-0011238

2023-05-12 约4.31万字 34页立即下载

用于存储器内计算的方法和用于计算的系统.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113362878 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110243798.2 (22)申请日 2021.03.05 (30)优先权数据 62/986,32

2023-06-20 约2.53万字 26页立即下载

用于对存储器系统进行编程验证的系统和方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345498 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 20201

2023-06-21 约3.07万字 29页立即下载

用于存储器设备的碎片整理的系统和方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114586017 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202180005681.9 G06F 3/06 (2006.01) (22)申请日 2021.12.2

2023-05-09 约2.9万字 28页立即下载