一种制备银纳米线薄膜的方法与焊接处理用装置.pdf
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117334402A
(43)申请公布日2024.01.02
(21)申请号202311407941.2
(22)申请日2023.10.27
(71)申请人北京工业大学
地址100124
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纳米线的制备方法
与零维量子点相比，纳米线具有阵列结构因此有更大的表面或体积比，尤其是他们所具有的直线电子传输特性，十分有利于光能的吸收和光生载流子的快速转移，由此使得这类准一维纳米结构更适宜制作高效率太阳电池（Si纳米线太阳电池）。《TiO2纳米线和ZnO纳米线则主要用于染料敏化太阳电池的光阳极制作》。
Si纳米线的生长方法：
迄今为止，已采用各种方法制备了具有不同直径、长度和形状的高质量的Si纳米线，利用各种表征技术对其结构特征进行了检测分析，就制备方法而言，目前主要有热化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子体化学气相沉积、激光烧浊沉积、热蒸发、电子束蒸发（EBE）、溶液法和水热法等；
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硅纳米线的现代制备方法
作者：王策
来源：《硅谷》2014年第15期
摘要硅纳米线是一种新型的一维纳米材料，其独特的物理特性，使其在光电器件，纳米器件以及微电子电路上有很好的应用。简要概括了目前大规模制备硅纳米线的主流技术：激光烧蚀法、化学气相沉积法、热蒸发法以及金属辅助化学腐蚀法。
关键词硅纳米线；制备；生长机理
中图分类号：TB383文献标识码：A文章编号：1671-7597（2014）15-0110-02
硅基半导体材料是目前整个半导体器件和集成电路的基础，随着集成电路的高密度化，体硅逐渐难以满足微电子制造技术的发展需求。硅纳米线作为一维硅纳米材料，在具有半导体性质的同时，由于其直径与其
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纳米线的制备方法及应用.ppt
氧化锌纳米线的制备方法 及应用 汇报人： 仇晓风 汇报日期：2013.11.25 材料先进制备技术 目录 1 ZnO纳米线的制备方法 汇报内容： 2 ZnO纳米线的应用前景 ZnO纳米线的制备方法 物理法：磁控溅射法、分子束外延法等 化学法 模板合成法 电化学合成法 溶胶-凝胶法 微乳液法 水热合成法 气相合成法 ZnO纳米线的制备方法 电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。 优点：牢固致密、高速低温，广泛用于工业生产多晶