GBT-氮化铝单晶抛光片编制说明.docx
ICS?FORMTEXT29.045
CCSH83
中华人民共和国国家标准
GB/TXXXXX—XXXX
氮化铝单晶抛光片
Polishedmonocrystallinealuminumnitridewafers
（预审稿）
在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上
FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX发布
FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX实施
GB/TXXXXX—XXXX
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前??言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。
本文件起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、
本文件主要起草人：
氮化铝单晶抛光片
范围
本文件规定了氮化铝单晶抛光片（以下简称“抛光片”）的牌号与分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。
本文件适用于直径不大于2英寸的抛光片的研发生产、测试分析、产品检验及质量评价。
规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T1555半导体单晶晶向测定方法
GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
GB/T14264半导体材料术语
GB/T30866碳化硅单晶片直径测试方法
GB/T30867碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T32188氮化镓单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
GB/T32189氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
GB/T32278碳化硅单晶片平整度测试方法
术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
氮化铝单晶aluminumnitridesinglecrystal
由铝原子与氮原子构成的Al-N双原子层，沿晶体的[0001]方向以ABAB……序列进行周期性的堆垛，且Al与N原子单胞呈现纤锌矿型的晶体结构。
氮化铝物理气相传输法aluminumnitridephysicalvaportransportgrowth
在2000℃～2300℃高温下，通过氮化铝原料在高温下升华，在氮化铝籽晶上生长高质量的氮化铝晶锭的方法。
氮化铝单晶的Al面AlfacetofSinglecrystalaluminumnitride
氮化铝单晶的（0001）晶面被定义为Al极性面，简称Al面。
氮化铝单晶的N面NfacetofSinglecrystalaluminumnitride
氮化铝单晶的（000EQ\*jc2\*hps10\o\ad(\s\up9(—),1)）晶面被定义为N极性面，简称N面。
分类与牌号
分类
抛光片按直径分为：
——25.4mm，以罗马数字“Ⅰ”表示；
——50.8mm，以罗马数字“Ⅱ”表示。
牌号
抛光片的牌号表示应符合以下的规定。
PVTAlNⅠ/Ⅱ1-BP01
序号01
序号01
双面抛光
双面抛光
(
(0001)晶面
分类
分类
氮化铝物理气相传输法
氮化铝物理气相传输法
技术要求
总则
本文件规定了抛光片的边缘去除区，边缘以内的抛光片应符合本文件的所有要求。抛光片的边缘去除区见表1。
边缘去除区
单位：毫米
项目
边缘去除
Ⅰ
1.0
Ⅱ
2.0
表面质量
在聚光灯下，抛光片Al面、N面的表面应无崩边、划痕、橘皮、裂纹、雾、沾污和水迹。
几何尺寸
抛光片的几何尺寸如图1所示。主参考面（A）、副参考面（B）按照顺时针排列。若主参考面A的长度大于副参考面B的长度时，正表面为Al面。氮化铝单晶抛光片的几何尺寸参数应满足表2要求。
图1抛光片的几何尺寸示意图
氮化铝晶片几何尺寸参数
项目
不同类别抛光片的几何尺寸参数要求
Ⅰ
Ⅱ
直径及允许偏差
mm
25.4±0.5
50.8±0.5
厚