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大功率IGBT器件结构设计的优化策略与实践研究.docx

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大功率IGBT器件结构设计的优化策略与实践研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子领域，绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）作为核心器件，扮演着举足轻重的角色。自20世纪80年代问世以来，IGBT凭借其独特的优势，即融合了金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高输入阻抗、快速开关特性以及双极结型晶体管（BJT）的低导通压降和大电流处理能力，迅速在众多领域得到广泛应用。

从工业驱动角度来看，在电机驱动系统中，IGBT能够精确控制电机的转速和转矩，实现高效节能运行。以工业机器人为例，其关节驱动电

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