文档详情

一种基于存储器低功耗开关引脚的良率测试电路及方法.pdf

发布：2023-05-09约1.75万字共13页下载文档

文本预览下载声明

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114550811 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210151907.2 (22)申请日 2022.02.18 (71)申请人四川创安微电子有限公司地址 61

显示全部

相似文档

集成电路中低功耗存储器优化论文.docx 集成电路中低功耗存储器优化论文摘要：随着集成电路技术的飞速发展，低功耗存储器在集成电路中的应用越来越广泛。然而，在功耗、性能和面积等方面，传统的存储器技术已经无法满足现代集成电路的需求。本文针对这一问题，从功耗、性能和面积三个方面对低功耗存储器优化进行了深入研究，提出了相应的优化策略，以期为我国集成电路产业提供有益的参考。关键词：集成电路；低功耗存储器；优化；功耗；性能；面积一、引言（一）低功耗存储器的重要性 1.内容一：低功耗存储器在集成电路中的应用（1）低功耗存储器在移动设备中的应用：随着智能手机、平板电脑等移动设备的普及，对低功耗存储器的需求日益增加。低功耗存储器可以降低设备
2025-03-28 约5.73千字 13页立即下载
SOC芯片内Flash存储器的低功耗控制装置及方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112987903 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110327800.4 (22)申请日 2021.03.26 (71)申请人广东曜芯科技有限公司
2023-06-08 约2.48万字 19页立即下载
一种低功耗的负载开关控制电路.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113364439 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110684060.X (22)申请日 2021.06.21 (71)申请人无锡职业技术学院地址
2023-06-20 约1.95万字 19页立即下载
一种基于共模电平开关切换的低功耗SAR ADC及其工作方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114884508 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210593593.1 (22)申请日 2022.05.27 (71)申请人山东大学地址 250199 山
2023-05-17 约1.63万字 12页立即下载
集成电路中低功耗存储器设计技术论文.docx 集成电路中低功耗存储器设计技术论文摘要：随着集成电路技术的飞速发展，低功耗存储器设计技术在提高集成电路性能、降低能耗、延长电池寿命等方面具有重要意义。本文针对集成电路中低功耗存储器设计技术进行了深入研究，分析了低功耗存储器设计的关键技术，探讨了降低功耗的方法和策略，为低功耗存储器设计提供了有益的参考。关键词：集成电路；低功耗存储器；设计技术；功耗降低一、引言（一）低功耗存储器设计技术的背景与意义 1.内容一：集成电路技术的发展趋势（1）集成电路尺寸不断缩小，集成度不断提高，对存储器性能的要求也越来越高。（2）集成电路功耗问题日益突出，降低功耗成为集成电路设计的重要目标。（3）
2025-04-13 约4.62千字 10页立即下载
基于自旋电子学的低功耗存储器设计与性能优化成果报告资料集.docx 基于自旋电子学的低功耗存储器设计与性能优化成果报告资料集目录一、基于自旋电子学的低功耗存储器设计与性能优化成果报告项目申报书二、基于自旋电子学的低功耗存储器设计与性能优化成果报告立项申请书三、基于自旋电子学的低功耗存储器设计与性能优化成果报告阶段性成果报告四、基于自旋电子学的低功耗存储器设计与性能优化成果报告最终成果报告基于自旋电子学的低功耗存储器设计与性能优化成果报告项目申报书一、立项依据随着信息技术的飞速发展，数据存储需求日益增长，对存储器的性能要求越来越高。传统的硅基存储器在功耗、速度和存储密度等方面已接近物理极限，而基于自旋电子学的低功耗存储器技术具有广阔的应用前景。本
2025-02-23 约8千字 19页立即下载
基于CSb2Te3的高性能低功耗相变存储器件研究.docx 基于CSb2Te3的高性能低功耗相变存储器件研究一、引言随着科技的快速发展，信息技术的核心硬件——存储器件的性能与功耗问题日益凸显。在众多存储技术中，相变存储器件以其非易失性、快速读写等特性备受关注。近年来，基于CSb2Te3材料的相变存储器件成为了研究热点。CSb2Te3材料具有较高的电导率与优越的相变特性，能够显著提高存储器件的性能与功耗表现。本文旨在深入探讨基于CSb2Te3的高性能低功耗相变存储器件的研究进展及未来发展趋势。二、CSb2Te3材料概述 CSb2Te3是一种具有优异相变特性的材料，其晶体结构在加热过程中可发生显著变化，从而实现电阻的快速切换。该材料在相变存储器件中表
2025-03-07 约4.42千字 8页立即下载
一种高速低功耗电容触摸检测电路、方法及芯片.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114465613 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210088944.3 (22)申请日 2022.01.25 (71)申请人深圳市敏锐微电子有限公司地址 5
2023-05-05 约2.07万字 16页立即下载
一种低功耗维持电路、控制方法及转接头.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114461000 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210043844.9 (22)申请日 2022.01.14 (71)申请人深圳市卡贝电子技术有限公司地址
2023-05-05 约1.32万字 11页立即下载
一种超低功耗高速比较器电路实现方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113364437 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110649693.7 (22)申请日 2021.06.10 (71)申请人上海磐启微电子有限公司
2023-06-18 约1.04万字 10页立即下载
GD32平台低功耗大容量存储器设计研究.docx GD32平台低功耗大容量存储器设计研究目录 GD32平台低功耗大容量存储器设计研究（1）．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 一、内容概要．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 研究背景与意义．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 1.1存储器的现状与需求．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 1.2低功耗大容量存储器的重要性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5 1.3GD32平台的应用及优势．．．．．．．．．．．．．．
2025-03-11 约3.17万字 46页立即下载
一种基于TinyML的低功耗人脸识别方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113391695 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110652053.1 (22)申请日 2021.06.11 (71)申请人山东浪潮科学研究院有限公司
2023-06-22 约5.24千字 6页立即下载
一种低功耗芯片存储设备.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213385765 U (45)授权公告日 2021.06.08 (21)申请号 202022353405.7 (22)申请日 2020.10.21 (73)专利权人联暻半导体（山东）有限公司
2023-03-06 约9.12千字 11页立即下载
一种存储器电路中存储单元的识别方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112801196 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110155309.8 (22)申请日 2021.02.04 (71)申请人北京华大九天科技股份有限公司
2023-06-04 约7.99千字 7页立即下载
一种压力液位变送器的低功耗电路.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212486182 U (45)授权公告日 2021.02.05 (21)申请号 202020524549.1 (22)申请日 2020.04.11 (73)专利权人杭州海盛海智联科技有限公司
2023-02-11 约6.34千字 9页立即下载