LDO电路设计规范.doc

前 言 低压降（LDO）线性稳压器的成本低，纹波小，静态电流小，这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一个输入电容和输出电容。但是他也有很明显的缺点，发热量大、效率低。设计注意事项主要有输入电容、输出电容的选择以及本身的功耗。 在电路设计中，硬件工程师选用了多款LDO电源芯片，每一种LDO电源芯片对输入输出电容都有不同的要求，一颗LDO芯片也可以使用多种电容以保证电源电压输出的稳定。这些造成了不同的硬件工程师在使用同一颗LDO芯片设计了不同的电路。本规范主要对LDO的输入输出电容的选择以及输出电流进行规范，方便电源的设计以及测试。 本规范仅作为部门内部规范，作为设计、校核、审核LDO电源电路的依据。 本规范主要起草人：王振华。 LDO电路设计规范 范围 本规范规定了LDO电路输入输出电容的选择以及电源输出的电流的基本要求。 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 Q/XJ 20.50-2012 许继集团企业标准 术语和定义 3.1 LDO 一种低压差的线性电源芯片，使用简单但是电源效率偏低。 3.2 典型电路 为了实现某一功能经过验证的、成熟的电路。 典型电路以及主要元器件型号以及参数 4.1 MIC39101-3.3V 典型电路设计 电容类型 容值/耐压 等效串联电阻 型号 C1 瓷片电容 10Uf 10V 10 mΩ GRM21BR61A106KE19L C2 钽电容 47Uf 16V 800mΩ ?TAJD476K016RNJ 输入电压 VIN 输出电压 VOUT 最大允许输出电流 5V 3.3V 200mA 4.2 MIC37302-WU 典型电路设计 电容的选取 电容类型 容值/耐压 等效串联电阻 型号 C1 瓷片电容 10Uf 10V 10 mΩ GRM21BR61A106KE19L C2 瓷片电容 47Uf 10V 3mΩ GRM31CR61A476ME15# 电阻阻值的选取: 输入电压 VIN 输出电压 VOUT 电阻阻值（精度1%） 允许最大输出电流 3.3V 1.8V R1=10k R2=22k 300mA 3.3V 2.5V R1=10.2k R2=10k 600mA 5V 3.3V R1=16.9k R2=10k 300mA 4.3 TPS73025 典型电路设计 电容类型 容值/耐压 等效串联电阻 型号 C1 瓷片电容 10Uf 10V 10 mΩ GRM21BR61A106KE19L C2 瓷片电容 10Uf 10V 10mΩ GRM21BR61A106KE19L C3 瓷片电容 10nf 25V 2Ω GRM155R71E103KA01D 输入电压 VIN 输出电压 VOUT 允许最大输出电流 3.3V 2.5V 200mA 5V 2.5V 60mA 4.4 TPS73033 典型电路设计 电容类型 容值/耐压 等效串联电阻 型号 C1 瓷片电容 10Uf 10V 10 mΩ GRM21BR61A106KE19L C2 瓷片电容 10Uf 10V 10mΩ GRM21BR61A106KE19L C3 瓷片电容 10nf 10V 2Ω GRM033R61E103KA12D 输入电压 VIN 输出电压 VOUT 最大允许输出电流 5V 3.3V 90mA 4.5 ISL9007-2.5V 典型电路设计 电容类型 容值/耐压 等效串联电阻 型号 C1 瓷片电容 10Uf 10V 10 mΩ GRM21BR61A106KE19L C2 瓷片电容 10Uf 10V 10mΩ GRM21BR61A106KE19L 输入电压 VIN 输出电压 VOUT 允许最大输出电流 3.3V 2.5V 250mA 5V 2.5V 80mA Q/XJ ××××—2001 Q/XJ ××××—2001 I I Q/XJ 79.0019—2003 Q/XJ 79.0019—2003 2 I 4 3 基础硬件部 发布 2004-05-01实施 2014-05-01发布 LDO电路设计规范 设计规范