一种具有电子积累效应的SOI-LDMOS器件.pdf

SOI-LDMOS器件的自热效应研究的开题报告.docx SOI-LDMOS器件的自热效应研究的开题报告题目：SOI-LDMOS器件的自热效应研究一、选题背景及意义在现代电力电子设备中，高功率MOSFETs广泛应用于电力调节器、逆变器等领域。其中SOI-LDMOS器件有着优异的性能，如低漏电流、高崩溃电压等优点，在高功率、高频电路中有着广泛的应用。然而，基于硅材料高功率器件本身具有较大的功率损耗，这些功率损失将导致器件的自热效应，即器件本身产生的热量，这将影响晶片的热稳定性，导致器件的性能降低，甚至烧毁晶片，因此研究SOI-LDMOS器件的自热效应研究具有重要的意义。二、研究目标和内容本研究旨在深入研究SOI-LDMOS器件自热效应，探索器

2024-05-18 约小于1千字 2页立即下载

射频SOI-LDMOS器件设计的开题报告.docx 射频SOI-LDMOS器件设计的开题报告一、选题背景及研究意义射频（RF）器件是现代通信系统中必不可少的组成部分，而SOI-LDMOS（Silicon-on-Insulator-Lateral-Double-Diffused-Metal-Oxide-Semiconductor）器件则被广泛应用于高功率射频场合。相比于传统的MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor），SOI-LDMOS器件具有更低的电容、更低的漏电流和更高的开关速度，从而提高了器件的工作效率和可靠性。射频SOI-LDMOS器件的研究，不仅可以推动智能通信等

2024-04-23 约1.43千字 3页立即下载

SOI基新型LDMOS高压器件研究的开题报告.docx SOI基新型LDMOS高压器件研究的开题报告一、选题背景及意义随着半导体技术的不断发展，压缩型高方位比系统在汽车电子、家用电器、电源系统领域的应用越来越广泛。对于自动驾驶汽车、家用电器等，在一定程度上推波助澜了智能化和高效性的实现，但这在设备操控方面难度较大。其中的高压输送问题，即在中转过程中需要将低压经过升压器升高至目标电压，在这个过程中对电子器件有很高的要求。针对于此种情况，我们需要进行器件级别的优化。本次课题研究的SOI基新型LDMOS高压器件，主要是通过对传统的LDMOS器件的升级改造，完成了对其性能的提升。相比于传统的LDMOS器件，其主要在低电源电压、小尺寸应用中更加适用，这

2024-07-18 约小于1千字 2页立即下载

功率SOI-LDMOS器件自热特性研究的中期报告.docx 功率SOI-LDMOS器件自热特性研究的中期报告本次研究旨在探究功率SOI-LDMOS器件的自热特性，主要研究内容包括器件结构设计、电性能测试、温度依赖性测试等。一、器件结构设计基于研究目标和实验要求，我们设计了一系列不同结构的功率SOI-LDMOS器件样品。其中，关键参数如下： 1.器件尺寸：N沟道宽度W=1.2um，沟道长度L=1.0um，漏源距离LS=2.4um； 2.膜厚：SOI层厚度为500nm，上层硅层厚度为300nm，BOX层厚度为1000nm； 3.栅氧化层厚度：60nm； 4.主栅极尺寸：W=2.4um，L=20um。二、电性能测试我们通过测试样品的静态特性曲线、输

2023-09-14 约小于1千字 2页立即下载

基于150nm SOI器件的NBTI效应研究.docx 基于150nmSOI器件的NBTI效应研究一、引言随着半导体技术的不断进步，纳电子技术正日益展现出其在计算机硬件中的核心地位。本文专注于对基于150nmSOI（绝缘层上的硅）器件的NBTI（NegativeBiasTemperatureInstability）效应进行研究。SOI技术因其优越的电气性能和工艺兼容性，已成为微电子领域的热门研究对象。而NBTI效应，作为器件在长期应力下的主要失效模式之一，对于器件的稳定性和可靠性有着至关重要的影响。因此，深入理解并有效缓解NBTI效应是提高微电子设备性能的关键所在。二、SOI器件及其NBTI效应概述 SOI器件以其卓越的电气性能和低功耗特性在

2025-03-15 约4.01千字 8页立即下载

一种LDMOS器件及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117810252A (43)申请公布日2024.04.02 (21)申请号202410231492.9 (22)申请日2024.03.01 (71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司地址

2024-03-30 约1.52万字 13页立即下载

一种全隔离N型LDMOS器件及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883391 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210364529.6 (22)申请日 2022.04.08 (71)申请人华东师范大学地址 200241

2023-05-16 约1.69万字 13页立即下载

一种高压单粒子加固LDMOS器件.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551574 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210189091.2 (22)申请日 2022.02.28 (71)申请人电子科技大学地址 611731

2023-05-07 约1.03万字 11页立即下载

微电子器件（4-10）SOI MOSFET 课件.pptx 4.10SOIMOSFET;早在1948年，就出现了绝缘衬底上生长单晶半导体薄膜，Ellemen和Wilman成功地在NaCl上生长了一层PbS薄膜。 1963年和1964年间，Manasevit和Simpson首先报道了在蓝宝石上外延生长单晶硅，从而在蓝宝石上开始成功地生长了合乎器件质量要求的硅膜，随后，在生长大尺寸蓝宝石衬底和这些衬底表面的制备方面也取得了进展，这就使得在20世纪60年代末和70年代，对可行的SOI技术来说，蓝宝石上外延硅(SOS:SiliconOnSapphire)被认为是最有希望的技术途径。 SOS技术存在的问题：硅-蓝宝石界面要比Si-Si02界面质量差；蓝宝石的介电

2025-05-04 约1.67千字 27页立即下载

LDMOS功率器件的电热效应研究的开题报告.pdf LDMOS功率器件的电热效应研究的开题报告一、选题背景随着无线通信、卫星通信、雷达等领域的不断发展，要求功率放大器具有更高的功率、更高的效率和更小的尺寸。在近年来，LDMOS （LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor）功率器件因具有良好的线性度、高的功率密度和可靠性等优点而备受关注，广泛应用于无线通信和广播电视等领域。然而，随着功率放大器工作时的温度上升，LDMOS功率器件产生的电热效应也越来越明显。这种效应可能导致功率器件的崩溃和失效，影响功率放大器的性能和可靠性。因此，研究并解决LDMOS功率器件的电热效应问题对于提高功率放大器的

2024-10-27 约1.3千字 2页立即下载

多指型高K介质SOI LDMOS特性研究.pdf 摘要绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体（SOILDMOS）由于其更容易与CMOS兼容，并且具有耐压能力强、寄生电容低等特点被广泛采用。如何提高SOILDMOS的器件性能，使其具有更高的击穿电压（BV）和更低的比导通电阻（Ron,sp）是设计者们追求的目标之一。针对这个目标，本文提出了指型高K介质SOILDMOS新器件，通过在漂移区内引入指型高 K介质，充分发挥高K介质的调制作用，改善器件表面电场分布和漂移区掺杂浓度来提高器件性能，平衡了Ron,sp和BV之间的矛盾关系。本文重点对新器件机理、器件结构参数优化、器件工艺制备等方面开展研究，主要工作包括：（1）研究了一种等指型高K介

2025-03-27 约7.9万字 73页立即下载

SOI硅膜厚度对RESURF LDMOS参数的影响.pdf 第 26 卷　第 3 期半　导　体　学　报 Vol . 26 　No . 3 2005 年 3 月　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　Mar . ,2005 SOI 硅膜厚度对 RESURF LDMOS 参数的影响孙智林　孙伟锋　吴建辉

2015-09-26 约2.37万字 5页立即下载

高k介质SOI LDMOS RTS噪声测试新方法.pptx 高k介质SOILDMOSRTS噪声测试新方法汇报人：2024-01-13 引言高k介质SOILDMOS器件概述RTS噪声测试原理及方法高k介质SOILDMOSRTS噪声特性分析实验设计与结果分析结论与展望引言01 背景与意义SOI技术绝缘体上硅（Silicon-On-Insulator，SOI）技术是一种先进的集成电路制造技术，具有低功耗、高速度、抗辐射等优点。LDMOS器件横向双扩散金属氧化物半导体（LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor，LDMOS）器件是SOI技术中的重要器件，广泛应用于高压集成电路和功率集成电路。RTS噪声随机电报信号（Ran

2024-06-02 约3.5千字 27页立即下载

一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410306 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110663181.6 (22)申请日 2021.06.15 (71)申请人西安

2023-06-17 约1.14万字 13页立即下载

一种超低比导通电阻的LDMOS器件及其制造方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394298 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110698510.0 (22)申请日 2021.06.23 (71)申请人电子科技大学地址

2023-06-21 约1.36万字 12页立即下载