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具有残余应力控制的SiC晶片的制造方法.pdf

发布:2023-05-08约1.33万字共11页下载文档
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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114561705 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202111421201.5 (22)申请日 2021.11.26 (30)优先权数据 102020000028778
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