具有残余应力控制的SiC晶片的制造方法.pdf
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114561705 A
(43)申请公布日 2022.05.31
(21)申请号 202111421201.5
(22)申请日 2021.11.26
(30)优先权数据
102020000028778
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