基于2D/3D异质结蓝光钙钛矿薄膜、制备方法及发光二极管器件.pdf

一种蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112993177 B (45)授权公告日 2022.07.26 (21)申请号 202110159273.0 H01L 51/56 (2006.01) (22)申请日 2021.02

2023-06-10 约1.08万字 11页立即下载

蓝光钙钛矿发光二极管的制备及性能研究.docx 蓝光钙钛矿发光二极管的制备及性能研究一、引言随着科技的飞速发展，发光二极管（LED）在照明、显示以及光电器件等领域的应用越来越广泛。其中，蓝光钙钛矿发光二极管因其高亮度、高效率、低成本等优点，成为当前研究的热点。本文旨在研究蓝光钙钛矿发光二极管的制备工艺及其性能表现，以期为相关领域的研究与应用提供参考。二、制备方法 1.材料选择 制备蓝光钙钛矿发光二极管的主要材料包括钙钛矿纳米晶、电子传输层材料、空穴传输层材料等。其中，钙钛矿纳米晶的带隙宽度对发光性能至关重要。 2.制备工艺（1）制备钙钛矿纳米晶：采用溶液法或气相沉积法，将前驱体溶液或固体材料在特定条件下反应生成钙钛矿纳米晶。（2）

2025-03-13 约4.01千字 8页立即下载

基于CsPbBr3钙钛矿发光二极管器件制备及其性能研究.docx 基于CsPbBr3钙钛矿发光二极管器件制备及其性能研究一、引言近年来，钙钛矿材料因其独特的光电性能和低廉的制造成本，在光电器件领域引起了广泛关注。其中，CsPbBr3钙钛矿材料因其高亮度、高色纯度及良好的稳定性，被视为发光二极管（LED）器件的理想选择。本文旨在研究基于CsPbBr3钙钛矿发光二极管器件的制备工艺及其性能表现。二、器件制备 1.材料选择本实验选用CsPbBr3钙钛矿材料作为发光层，同时选用适当的电子传输层、空穴传输层及电极材料。 2.制备工艺（1）制备电子传输层和空穴传输层：采用真空蒸镀法，将电子传输层和空穴传输层材料分别沉积在ITO玻璃基底上。（2）制备钙钛矿发光

2025-05-22 约3.88千字 8页立即下载

钙钛矿发光二极管器件及其制备方法和显示装置.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883506 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210490509.3 (22)申请日 2022.05.06 (71)申请人深圳市华星光电半导体显示技术有

2023-05-16 约1.45万字 12页立即下载

基于改性铋基钙钛矿量子点材料制备方法及电致发光器件.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114540028 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210168821.0 H01L 51/50 (2006.01)

2023-05-07 约1.11万字 10页立即下载

基于喷墨打印技术的钙钛矿发光二极管器件：制备工艺、表征分析与性能优化.docx 基于喷墨打印技术的钙钛矿发光二极管器件：制备工艺、表征分析与性能优化一、引言 1.1研究背景与意义在当今数字化时代，显示技术已成为信息传递与交互的关键媒介，广泛应用于电子设备、信息展示、娱乐、医疗等众多领域，其重要性不言而喻。随着人们对视觉体验要求的不断提升，显示技术也在持续创新与变革，朝着高分辨率、高亮度、高对比度、广色域、柔性可折叠以及低成本等方向飞速发展。在众多显示技术中，有机发光二极管（OLED）以其自发光、视角广、响应速度快、可实现柔性显示等优点，在手机、电视等高端显示市场占据了重要地位。然而，OLED也存在着成本较高、寿命相对较短等问题。与此同时，量子点发光二极管（QLE

2025-06-02 约3.33万字 25页立即下载

准二维铅卤钙钛矿薄膜的制备及其绿光发光二极管性能研究.docx 准二维铅卤钙钛矿薄膜的制备及其绿光发光二极管性能研究一、引言随着科技的进步，新型光电材料的研究与应用已成为当前科技领域的研究热点。其中，准二维铅卤钙钛矿薄膜因其独特的物理和化学性质，如高发光效率、高载流子迁移率等，在光电器件领域展现出巨大的应用潜力。本文将重点对准二维铅卤钙钛矿薄膜的制备工艺及其在绿光发光二极管（LED）性能方面的研究进行详细阐述。二、准二维铅卤钙钛矿薄膜的制备 1.材料选择与前处理首先，选择适当的铅卤钙钛矿前驱体材料，并进行严格的纯度检测和前处理，以确保其质量。此外，还需选择合适的基底和溶剂，为薄膜的制备提供良好的生长环境。 2.制备工艺准二维铅卤钙钛矿薄膜的制备采

2025-06-06 约4.32千字 9页立即下载

一种钙钛矿发光层、发光二极管及其制备方法和应用.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114188488 A (43)申请公布日 2022.03.15 (21)申请号 202111304977.9 (22)申请日 2021.11.04 (71)申请人华南师范大学

2023-04-26 约1.21万字 10页立即下载

氯溴混合钙钛矿多晶薄膜在蓝光发光二极管中的应用与性能优化研究.docx 氯溴混合钙钛矿多晶薄膜在蓝光发光二极管中的应用与性能优化研究一、引言 1.1研究背景与意义在光电器件的发展历程中，材料的创新始终是推动技术进步的核心驱动力。钙钛矿材料作为一类具有独特晶体结构和优异光电性能的材料，近年来在光电器件领域展现出巨大的应用潜力，成为了研究的焦点。钙钛矿材料通常具有ABX3的晶体结构，其中A位是较大的阳离子，如甲基铵离子（CH3NH3+）、铯离子（Cs+）等；B位是较小的阳离子，常见的有铅离子（Pb2+）、锡离子（Sn2+）等；X位则为卤素阴离子，像氯离子（Cl-）、溴离子（Br-）、碘离子（I-）。这种特殊的结构赋予了钙钛矿材料一系列卓越的特性。从光

2025-05-23 约2.85万字 22页立即下载

一种基于酪胺盐酸盐的3D/2D锡铅钙钛矿太阳能电池及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551733 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210155201.3 (22)申请日 2022.02.21 (71)申请人吉林大学

2023-05-08 约1.29万字 11页立即下载

一种钙钛矿@宽带隙量子点、量子点发光二极管及制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114583075 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202111526421.4 (22)申请日 2021.12.14 (71)申请人浙江臻纳科

2023-05-06 约1.73万字 12页立即下载

一种钙钛矿量子点发光二极管及其制备方法和应用.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114464749 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210023793.3 (22)申请日 2022.01.10 (71)申请人广东工业大学地址 510090

2023-05-04 约1.36万字 11页立即下载

一种钙钛矿-有机杂化叠层发光二极管及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114824113 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210203744.8 (22)申请日 2022.03.03 (71)申请人上海大学地址 200444 上海

2023-05-13 约1.26万字 10页立即下载

钙钛矿型碱土矾酸盐薄膜铁电异质结构及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551717 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210124482.6 (22)申请日 2022.02.10 (71)申请人中国矿业大学地址 221116

2023-05-09 约9.57千字 8页立即下载

给受体型有机蓝光材料、其制备方法、应用及电致发光器件.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114773317 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210538466.1 H01L 51/54 (2006.01)

2023-05-13 约2.01万字 25页立即下载