一种半导体发光器件存放箱.pdf

一种半导体发光器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113390024 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110644111.6 (22)申请日 2021.06.09 (71)申请人广州辰南科技信息有限公司

2023-06-20 约9.26千字 10页立即下载

半导体发光器件..doc 半导体发光器件 2003-05-28 ?? ?? ?? 点击: 503 半导体发光器件 半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用（一）LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区

2017-01-02 约6.66千字 14页立即下载

半导体发光器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112997324 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 201980074061.3 (74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

2023-06-10 约3.03万字 27页立即下载

一种散热性能好的半导体发光器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213401235 U (45)授权公告日 2021.06.08 (21)申请号 202023004594.3 (22)申请日 2020.12.14 (73)专利权人郭思行地址 10

2023-03-07 约6.85千字 7页立即下载

一种半导体发光器件的制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551662 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210186861.8 (22)申请日 2022.02.28 (71)申请人湘能华磊光电股份有限公司地址 4

2023-05-09 约7.08千字 6页立即下载

一种半导体发光板.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113405041 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110643810.9 (22)申请日 2021.06.09 (71)申请人广州辰南科技信息有限公司

2023-06-20 约9.65千字 11页立即下载

半导体发光材料及器件大全.ppt * * 受激辐射当原子中的电子处于高能级时，若外来光子的频率恰好满足时，电子会在外来光子的诱发下向低能级跃迁，并发出与外来光子一样特征的光子——受激辐射。 E2 E1 全同光子 h? 实验表明，受激辐射产生的光子与外来光子具有相同的频率、相位、偏振方向和发射方向。 * * 在受激辐射中通过一个光的作用，得到两个特征完全相同的光子，如果这两个光子再引起其它原子产生受激辐射，就能得到更多的特征完全相同的光子----光放大，激光。光放大 LASER：受激辐射光放大 Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation

2019-01-13 约1.34万字 147页立即下载

半导体发光器件讲解.doc 半导体发光器件 2003-05-28 ?? ?? ?? 点击: 503 半导体发光器件 半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用（一）LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区

2017-02-08 约6.66千字 14页立即下载

第1章半导体发光材料及器件.ppt 量子阱半导体激光器：材料尺寸足够小的时候，其光学性质会发生变化。发射波长表示为：垂直腔表面发射激光器：谐振腔垂直于半导体衬底，并与注入电流同向。有源区很薄，则需谐振腔反射率高。波长需与光学增益相匹配。纵模间隔大，可实现单模输出。（why）作业：1~6题。 * 提问：是否电子可以在任意的位置移动？相互中间隔的很远时是N度简并的；相互中间隔的很远时，是N度简并的；相互靠近组成晶体后，能带宽度ΔE是取决于两个最相邻的原子，而并不依赖于原子的数目。因此它们的能级便分裂成N个彼此靠得很近的能级简赖于原子的数目，因此，它们的能级便分裂成N个彼此靠得很近的能级，简并消失。

2017-02-19 约1.38万字 118页立即下载

光电器件基础·第二讲 半导体发光器件.pdf 光电器件基础·第二章 半导体发光器件 §2.1 半导体发光机理 §2.2 半导体发光二极管 §2.3 超辐射发光二极管任何物体的发光过程都伴随着物体内部能量的变化。从微观上看，物体中的原子（尤其原子中的电子）可以有各种不同的能量状态，当原子从高能态过渡到低能态时，就会释放出能量，如果这种能量是以光辐射的形式释放出来，物体就发光。当然，要维持物体持续发光，就必须由外界不断地向物体提供能量使原子重新激发到高能态，这个过程称为激励。激励所需要的能量可以是电能、化学能、核能、热能，也可以是光能。图2.1(a)示出了位于 E 1 能级上的电子，在受到某

2017-09-14 约2.92万字 20页立即下载

一种半导体发光元件.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112823426 B (45)授权公告日 2022.08.26 (21)申请号 202080005593.4 (51)Int.Cl.

2023-06-04 约2万字 16页立即下载

一种半导体发光二极管模组.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212991117 U (45)授权公告日 2021.04.16 (21)申请号 202022602631.4 (22)申请日 2020.11.11 (73)专利权人深

2023-02-25 约6.89千字 7页立即下载

一种半导体固体发光器件的质检设备及使用方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112808606 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202011606002.7 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人赵亮地址 3112

2023-06-05 约2.09万字 25页立即下载

化合物半导体发光器件新应用.doc 化合物半导体发光器件新应用化合物半导体器件市场新应用不断涌现，如LED在紫外（UV）领域的应用，半导体激光器（LD）用于放映机的光源等。’12.1-3 4-6 7-9 10-12 ’13.1-3 4-6 7-9 10-12 ’14.1-3 欧司朗 27677 2021 30628 4128 31321 2615 29780 2918 31768 3245 36497 4915 35550 5179 36744 4864 37000 7096 CREE 18094 7026 18504 7232 18755 7547 20096 8419 19556 8573 21741 9927 218

2017-08-28 约2.15千字 5页立即下载

半导体发光器件——LED和LD简介-郑志胜.ppt 半导体发光器件——LED和LD简介报告人：郑志胜一、发光二极管（LED)顶端发射二极管LED分类侧面发射型发光二极管辐射机理：当某种外部扰动（电压，电流）产生了电子-空穴对时，电子-空穴对的复合会产生一个辐射。1.顶端发射二极管类型普通结构巴勒斯结构特点：结构简单；特点：圆对称性结构；外部耦合效率较差；辐射率高；辐射率低。光谱远场图有圆对称性。2.侧面发射二极管类型结构图如下特点：功率小；发射区尺寸小；发散角小；辐射度高。二、半导体激光二极管1.结构图2.激光管驱动阈值当注入载流子产生的增益系数等于激光器的损耗时，此时的电流称为阈值电流。阈值越小越好。激光二极管的模式在激光管中一般存在3个模式

2024-07-19 约1.03千字 7页立即下载