一种功率晶体管筛选装置.pdf

功率晶体管结温测量与器件筛选条件拟定.doc 2012-07-19################张2奕0轩121, -2,07孔-学1东92###2#0#1#2#-#07-19######## ( 1. 广东工业大学材料与能源学院, 广东广州 510090; 2. 信息产业部电子第五研究所, 广东广州 510610) 摘要: 概述了功率晶体管结温测量的意义及常用的双极晶体管模型。常用的结温测量方法有两种: 红外扫描法和热敏参数法。由于热敏参数法只能得到器件的平均结温, 不能用于准确地评价电子器件的可靠性, 因此, 红外扫描法优于热敏参数法。红外扫描法用于拟定器件筛选条件时必须满足 3 个必要条件,

2018-01-09 约6.76千字 6页立即下载

晶体管功率电路.pptx 第九章晶体管功率电路(3)反;已学过的非隔离变换器是否已经能;具有输入和输出隔离的单管变换器;反激变换器;1.电路组成和和基本工作原理;1.电路组成和和基本工作原理;电路组成和工作原理★注意：变;单端反激式变换器-Q导通时Q;单端反激flyback－关断瞬;QOFF时:晶体管截止;单端反激式变换器状态分析在稳态;单端反激电路组成和工作原理电;u201C.输出电流Io;如图的变压器工作情况：变压器的;单端反激式变换器状态分析可以完;单端反激式变换器的同名端变化对;1.电路组成和和基本工作原理;单端反激式变换器具有电感电流连;断续模态分析;u201（★图9－20）02Q;单端反激式变换器－电路外特

2025-06-06 约1.05千字 68页立即下载

一种晶体管小信号建模方法及装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113343619 B (45)授权公告日 2022.02.18 (21)申请号 202110512954.0 (56)对比文件 (22)申请日 2021.05.11

2023-06-20 约2.17万字 18页立即下载

一种用于固定晶体管的装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210200701 U (45)授权公告日 2020.03.27 (21)申请号 20192

2023-08-21 约5.94千字 7页立即下载

功率NPN双极型晶体管.ppt 功率NPN双极型晶体管 主要内容一、NPN功率晶体管的失效机理 1、发射极去偏置 2、热击穿和二次击穿 3、基区扩展效应二、功率NPN晶体管的版图 1、叉指状发射极晶体管 2、宽发射区窄接触孔晶体管 3、圣诞树结构器件 4、十字形发射极晶体管 三、总结一、NPN功率晶体管的失效机理困扰功率双极型晶体管设计的3个最主要的问题是：发射极去偏置、热击穿和二次击穿。这3个问题都是由功率晶体管中典型的高电流和高功耗所引起的。这些机制在小信号晶体管中不会引起问题，但是却对功率晶体管的设计造成了

2017-12-26 约4.52千字 26页立即下载

.1 双极型功率晶体管（BJT）.ppt 9.3.1 双极型功率晶体管（BJT） ;2．二次击穿的影响 ;1. V型NMOS管的结构 ;2. V型NMOS管的主要特点;IGBT等效电路;绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要特点：;外壳c;导电回路（电路） ;Tj——集电结的结温;散热回路的总热阻为

2017-04-25 约小于1千字 10页立即下载

功率场效应晶体管.ppt 关于功率场效应晶体管*第1页，共11页，星期日，2025年，2月5日第三章电力场效应晶体管电力MOSFET的种类?按导电沟道可分为P沟道和N沟道。耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。?电力MOSFET主要是N沟道增强型。1）电力MOSFET的结构和工作原理*第2页，共11页，星期日，2025年，2月5日第三章电力场效应晶体管电力MOSFET的结构是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别。采用多元集成结构，不同的生产厂家采用了不同设计。图1-19电力MOSFET的结构和电气图形符号*第

2025-05-14 约1.9千字 11页立即下载

一种安全型晶体管.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212461660 U (45)授权公告日 2021.02.02 (21)申请号 202021150151.2 (22)申请日 2020.06.19 (73)专利权人眉山国芯科技有限公司

2023-02-12 约8.42千字 8页立即下载

一种具有区域互连晶体管的半导体装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112838064 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202011623629.3 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人上海波汇科技有限公司

2023-06-06 约6.83千字 7页立即下载

一种双极型晶体管制造用高切换速度的封焊装置.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114535902 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210175492.2 (22)申请日 2022.02.25 (71)申请人江苏韦达半导体有限公司地址 22

2023-05-06 约1.09万字 12页立即下载

双极功率晶体管与场效应晶体管的比较 .pdf 双极功率晶体管与场效应晶体管的比较导言：在电子元件领域，功率晶体管被广泛应用于功率放大和开关电路中，而双极功率晶体管（BipolarJunctionTransistor，BJT）和场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）是其中两种常见的类型。本文将对这两种晶体管进行比较，包括工作原理、特性和应用等方面。一、工作原理 1.双极功率晶体管：双极功率晶体管是一种三层晶体管，由两个PN结组成。在工作过程中，控制电流被注入基极结，通过基极电流来控制负载电流。当基极电流达到一定的阈值，集电极-发射极之间的电流就会增加。它可以工作在放大模式和开关模式下。 2.场

2024-12-06 约1.29千字 2页立即下载

显示装置及晶体管.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113366654 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 201980090991.8 (74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限

2023-06-18 约2.11万字 23页立即下载

SiC功率晶体管在工业加热中的应用.docx SiC功率晶体管在工业加热中的应用 SiC功率晶体管在工业加热中的应用一、SiC功率晶体管概述 SiC（碳化硅）功率晶体管是一种基于宽禁带半导体材料的高性能电子器件，它以其卓越的电气特性在工业领域中的应用越来越广泛。SiC功率晶体管具有高电压、高频率、高效率和高温稳定性的特点，使其成为工业加热应用中的理想选择。 1.1SiC功率晶体管的特性 SiC功率晶体管的核心特性包括高电压耐受能力、高频率操作能力、高效率和高温稳定性。这些特性使得SiC功率晶体管在处理高功率应用时具有显著优势。高电压耐受能力意味着SiC晶体管可以在高电压环境下稳定工作，而不会损坏。高频率操作能力则允许SiC晶体管在高频开

2024-10-06 约3.18千字 10页立即下载

晶体管的频率特性与功率特性.ppt 01020304以上得出的短路电流放大系数α和截止频率的表达式对均匀基区和缓变基区均适用。计算时只须代入各自的延迟时间和不同的超相移因子m的值即可。共发射极短路电流放大系数及其截止频率共射短路电流放大系数β：工作在共射状态下的晶体管在输出端交流短路VCE0=0时，集电极交流电流ic与基极输入电流ib之比。01020304共射交流放大系数β也是复数幅值随着频率升高而下降相位滞后随着频率升高而增大（与α类似）共发射极短路电流放大系数β截止频率载流子从发射极到集电极总的传输延迟时间P79说明共射短路电流放大系数β比共基短路电流放大系数α下降更快。因此，共基电路比共射电路频带更宽。与的关系晶体管的特征

2025-02-18 约5.29千字 10页立即下载

大功率场效应晶体管.pdf 页码，1/2 2010G2.4DOHC暖风及空调检查 1.“ON”。 , 2.手动控制开关测量鼓风机电机电压。 3.操作控制开关提升电压直到达到最高速。规格电机电压风扇手动 1档3.80±0.5V 2档5.05±0.5V 3档6.30±0.5V 4档7.55±0.5V 5档8.80±0.5V 6档10.05±0.5V 7档11.30±0.5V 8档蓄电池电压 *(4.5V~B+) 自动冷却：自动调节速度 *自动暖风：自动调节档位(4.5V~11.3V) ,, 4.如果测量的电压不在规定值范围内用良好的、相同型号的大功率场效应晶体管更换并检查是否正常工作。 , 5.如果故障不再出现更换

2025-02-13 约2.13千字 2页立即下载