MOSFET工作原理讲分解.ppt

4 场效应管放大电路 ; 场效应管是利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。将控制电压转换为漏电流——互导放大器件。 ;特点：体积小，重量轻，耗电省，寿命长。 具有输入阻抗高、热稳定性好、噪声小、抗辐射、制造工艺简单等优点。 分类： 结型场效应管（JFET） 金属—氧化物—半导体场效应管（MOSFET）;4.1 结型场效应管 ;二、 工作原理;(1) VGS对i D的影响;(2) VDS对i D的影响 ;P沟道JFET的工作原理;4.1.2 JFET的特性曲线及参数 ;2．转移特性 ;P沟道JFET的特性曲线;P沟道JFET的特性曲线;3．主要参数 ;4.2 砷化镓金属—半导体场效应管 ;4.3 金属—氧化物—半导体场效应管（MOSFET） ;N沟道增强型MOSFET的特性曲线;五、各种场效应管的比较 ;六、场效应管使用注意事项; 作 业 P190：4.1.2； 4.1.3； 4.3.1。;4.4 场效应管放大电路 ;4.4.1 FET的直流偏置电??及静态分析 ;自偏压电路;分压式自偏压电路;2．静态工作点的确定 ;4.4.2 小信号模型分析法 ;2．放大电路 ;Vi = Vg s + g m Vg s Rs = Vg s (1+ g m Rs ) Vo = - g m Vg s R’L Av = Vo / Vi = - g m R’L /(1+ g m Rs ) Ri = Rg ; Ro = Rd ——反向电压放大 ;Vi = Vg s + g m Vg s R’L = Vg s (1+ g m R’L ) Vo = g m Vg s R’L Av = Vo / Vi = g m R’L /(1+ g m R’L ) 1 Ri = Rg ; Ro = Rs // (1/ g m ) ——电压跟随器 ;Vi = - Vg s Vo = - g m Vg s R’L Av = Vo / Vi = g m R’L Ri = Rs // (1/ g m ) ; Ro = Rd ——电流跟随器 ;4.5 各种放大器件电路性能比较; 作 业 P191: 4.4.4; 4.4.6; 4.5.4 。