_Y_2O_3_Yb_2O_3_复合掺杂ZrO_2材料的中低温电导率.pdf

2001) (Y O , Yb O ) ZrO 2 3 2 3 2 1 1 2 2 2 李 英 ,谢裕生 , 唐子龙, 龚江宏, 张中太 (1., 100080; 2. , 100084) : 采用交流复阻抗技术对(Y O , Yb O ) 复合掺杂ZrO ( 2 3 2 3 2 材料在573~ 873K这 温度范围的离子电导率随组成的变化关 800 ) 系进行了研究,发现在ZrOY O 系统中加入Yb O 会使得材料 [ 15] 2 2 3 2 3 , 在中低温区域电导率降低用经典的 Arrhenius 公式对实验数 3+ 据进行的分析表明, 电导率降低的原因在于Yb 与结构中氧空 (Y O , Yb O ) ZrO 2 3 2 3 2 3+ 位之间的缔合比Y 与氧空位之间的缔合更甚, 阻碍了氧空位 , 在中低温下的定向迁移 : ZrO ;; ;Arrhenius 2 : T 911 :A 2 1 (Y O , Yb O )ZrO 2 3 2 3 2 ZrO 2 : Y O Yb O 0.25mol/L Y 2 3 2 3 [1,2] ZrO 2 (NO ) 0.25mol/LYb(NO ) ; 3 3 3 3 [3,4] , Y O , CaO,Y O ZrO ZrOCl 8H O 800 2h 2 3 2 3 2 2 2 , ZrO ; ZrO Y(NO ) 2 2 3 3