文档详情

生物掩膜版以及在衬底上图案化的方法.pdf

发布：2023-06-18约1.45万字共11页下载文档

文本预览下载声明

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113363140 B (45)授权公告日 2023.03.28 (21)申请号 202110616453.7 G03F 1/76 (2012.01) (22)申请日 2021.06.

显示全部

相似文档

刻蚀设备、刻蚀方法以及膜层图案化系统.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551298 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210115674.0 (22)申请日 2022.02.07 (71)申请人苏州华星光电技术有限公司地址 2
2023-05-09 约1.84万字 18页立即下载
基于分子动力学方法的图案化Si衬底上原子扩散行为及机制研究.docx 基于分子动力学方法的图案化Si衬底上原子扩散行为及机制研究一、引言 1.1研究背景与意义在现代半导体领域，图案化Si衬底凭借其独特优势，在集成电路制造、半导体器件制备等关键环节中占据着举足轻重的地位。随着半导体技术持续朝着小型化、高性能化方向迈进，对图案化Si衬底的性能与质量提出了愈发严苛的要求。原子扩散作为一种在材料制备加工过程中调控材料结构性能的基本过程，在图案化Si衬底的材料生长、性能优化等方面发挥着关键作用，深刻影响着半导体器件的性能与可靠性。原子扩散直接关乎材料的微观结构演变。在图案化Si衬底上进行材料生长时，原子的扩散路径和速率决定了原子的沉积位置和排列方式
2025-04-20 约2.57万字 20页立即下载
图案化电极及其制备方法和应用.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112816535 B (45)授权公告日 2022.08.12 (21)申请号 202011622339.7 B81C 1/00 (2006.01) (22)申请日 2020.12.
2023-06-05 约1.11万字 11页立即下载
一种用于微图案化的微接触印刷方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117416148A (43)申请公布日2024.01.19 (21)申请号202311396284.6 (22)申请日2023.10.26 (71)申请人中南大学地址410083
2024-01-17 约1.17万字 12页立即下载
用于图案化预成型件的制造和带转移方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114586138 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202080071355.3 W ·C ·潘　M ·萨朗加帕尼　 (22)申请日 2020.1
2023-05-08 约1.77万字 14页立即下载
一种光刻胶及图案化方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113341650 B (45)授权公告日 2022.08.02 (21)申请号 202110707464.6 (51)Int.Cl.
2023-06-16 约1.37万字 16页立即下载
一种光刻胶及图案化方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113341651 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110716154.0 G03F 7/00 (2006.01) (22)申请日 20
2023-06-19 约1.43万字 15页立即下载
通过层膨胀工艺进行可扩展的图案化以及所得结构.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883246 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202110835612.2 (22)申请日 2021.07.23 (30)优先权数据 63/168,034 2021
2023-05-15 约2.33万字 31页立即下载
图案化第一半导体晶圆的光刻方法和图案化的半导体晶圆.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113359394 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110560337.8 (22)申请日 2021.05.21 (30)优先权数据 63/029,04
2023-06-19 约3.66万字 32页立即下载
一种图案化透明电极的制备方法及图案化透明电极.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)(12)发明专利说明书 (10)申请公布号CN108962504A (43)申请公布日2018.12.07 (21)申请号CN201810882003.0 (22)申请日2018.08.06 (71)申请人深圳市希诺威光电科技有限公司地址518057518057广东省深圳市南山区科技园高新南七道深圳清华大学研究院C318 (72)发明人赵祖珍 (74)专利代理机构深圳市惠邦知识产权代理事务所代理人孙菊梅 (51)Int.CI 权利要求说明书说明书幅图 (54)发明名称一种图案化透明电极的制备方法及 图案化透明电极图案化透明电极 (57)摘要
2025-04-22 约9.08千字 16页立即下载
衬底支撑板、包括它的衬底处理设备以及衬底处理方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112992637 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202011237367.7 (22)申请日 2020.11.09 (30)优先权数据 62/942,61
2023-06-09 约2.52万字 27页立即下载
衬底支撑板、包括它的衬底处理设备以及衬底处理方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112981372 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202011260943.X C23C 16/52 (2006.01)
2023-06-08 约3.17万字 35页立即下载
用于三维结构的制备的图案化装置及其生产方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115003488 A (43)申请公布日 2022.09.02 (21)申请号 202080072142.2 (74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公
2022-10-15 约3.7万字 44页立即下载
用于电子工业的纳米图案化与光刻方法.pdf 第 6 卷，第 1 期纳米图案化和光刻方法用于光刻/ 纳米图案化材料的六氟醇-官能化甲基丙烯酸酯单体喷墨印刷：促进印刷电子行业
2017-09-18 约16.45万字 32页立即下载
一种碳量子点制备方法及其图案化应用.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113004893 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202110160042.1 B82Y 40/00 (2011.01)
2023-06-09 约1.24万字 13页立即下载