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浙大远程电力电子技术答案离线.docx

发布:2017-01-25约4.98千字共17页下载文档
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浙江大学远程教育学院《电力电子技术》课程作业姓名:学 号:年级:学习中心:第1章 1.把一个晶闸管与灯泡串联,加上交流电压,如图1-37所示 图 1-37问:(1)开关S闭合前灯泡亮不亮?(2)开关S闭合后灯泡亮不亮?(3)开关S闭合一段时间后再打开,断开开关后灯泡亮不亮?原因是什么?解:(1)开关S闭合前,灯泡不亮。 (2)开关S闭合后,灯泡亮。 (3)灯泡不亮,因为晶闸管已关断。2.在夏天工作正常的晶闸管装置到冬天变得不可靠,可能是什么现象和原因?冬天工作正常到夏天变得不可靠又可能是什么现象和原因?解: 在夏天,晶闸管触发电路调试好后正常工作,但到冬天随着温度变化,UGT和IGT的数值增大。所以原来调整好的触发电路数值已不够,则晶闸管装置变得不可靠。在冬天,晶闸管触发电路调试好后正常工作,到了夏天随着温度变化,UGT和IGT数值变低了,收外界干扰,出现误导通,所以变得不可靠。3.型号为KP100-3,维持电流IH=4mA的晶闸管,使用在如图1-38电路中是否合理?为什么?(分析时不考虑电压、电流裕量)(a) (b) (c)图 1-38 习题5图解: (a), 无法导通,不合理。(b) 能正常工作(c) 不能正常工作4.什么是IGBT的擎住现象?使用中如何避免?解:(1)IGBT的擎住效应有静态擎住和动态擎住静态擎住:IC上升,Rbr压降使NPN通,经正反馈,寄生等效晶闸管通,IGBT栅极失去控制作用。动态擎住:关断时产生,J2结反压很快建立, 大,此电流可在Rbr上产生NPN管导通的正向偏压从而产生擎住现象。(2)使用时应注意使ICICM ,避免静态擎住 RG上升,使关断速度下降,减小重加避免动态擎住第2章 1.出图2-57中①~⑨各保护元件及VDF、Ld的名称及作用。(LJ为过流继电器)图2-57 三相桥式整流电路的保护解:1、交流进线电抗器 限流、限du/dt和di/dt2、压敏电阻 过压保护3、交流侧阻容保护 过压保护4、桥臂电感 限du/dt(由元件换流引起)di/dt5、快熔 过流保护6、过压保护电容 限制关断过电压对元件的损害7、抑振电阻 防止LC振荡,限制电容放电电流8、直流侧压敏电阻 直流侧过压保护9、过流继电器 过流时,继电器开路,保护主电路10、VDF续流二级管 为负载电路提供通路,过压保护、提高Ud11、Ld平波电抗器 防止直流电流波动(断流)2.GTR、IGBT等过流保护中,为何要采用检测集射极电压作为保护基准?解: 以测量集射极电压U-ce作为过流保护原则,在相同的相对测量误差下(ΔU-ce/U-ceg=ΔIc/Icg),GTR工作点仅移至A2点,仍处于准饱和状态,元件关断时功耗只略有增加,可保证器件安全。因此采用测量U-ce变化来检测工作状态、实现过流保护是安全、可靠的。3.GTR、P-MOSFET、IGBT吸收电路的基本结构如何?其减少被保护器件开关损耗的机理如何?解:GTR的关断过程 GTR的关断吸收电路原理曲线 关断原理电路上图为断开时,减小元件的损耗就是在电流变小的过程中电压推迟升高,加装一个电容,避免大电流高电压同时产生。避免损耗出现。GTR的开通过程 GTR的开通吸收电路原理曲线 开通原理电路上图为开通时,减小元器件的损耗就是在电压变小的过程中推迟电流的升高,加装一个电感,避免大电流高电压同时产生。第3章 1、某电阻负载要求(0~24)V直流电压,最大负载电流Id=30A,采用单相半波可控整流电路。如交流采用220V直接供电与用变压器降至60V供电是否都满足要求?试比较两种方案的晶闸管导通角、额定电压、额定电流、整流电路功率因数以及对电源要求的容量。解:1、 220V供电 2、 60V供电Ud=0.45U2(1+cosa)/2A=121°(38.9°),θ=180°-a=59°(141.1°)IT(AV)=(1.5~2)I2/1.57=80.35~107.13A(49.1~64.4A)UTm=220=311V(84.84V)UR=(2~3)UTm=622.3~933.4V(167.7~254.6V)2、单相桥式可控整流电路,带电阻—大电感负载,Rd=4Ω,变压器次级电压有效值U2=220V。试计算当控制角α=60°时,直流电压、电流平均值。如果负载两端并接一续流二极管,其直流电压、电流平均值又是多少?并求此时流过晶闸管和续流二极管的电流平均值、有效值,画出两
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