晶体管设计..doc

晶体管电路设计.ppt 输入输出阻抗怎么测？输入阻抗：当ui=2ui’时，待测电路输入阻抗为Ri。输出阻抗：空载输出电压为uo，带载输出电压为uo’，如果uo=2uo’，那么输出阻抗就是Ro。第29页,共43页，星期六，2024年，5月第30页,共43页，星期六，2024年，5月2、共集放大电路（射随电路）思考：1、射随电路是否有密勒效应？2、射随电路的输入阻抗？3、射随电路的输出阻抗？第31页,共43页，星期六，2024年，5月共集放大电路（甲类功放）问题：1、RE如何取值？2、RE取值过小会发生什么？3、RE取值过大会发生什么？第32页,共43页，星期六，2024年，5月射随电路的底部失真第33页,共43页，星期

2025-01-31 约3.28千字 43页立即下载

PNP双极型晶体管的设计.pdf 目录 L课程设计目的与任务2 2.设计的内容2 3.设计的要求与数据2 4.物理参数设计3 4.1各区掺杂浓度及相关参数的计算3 4.2集区厚度Wc的选择6 4.3基区宽度MB6 4.4扩散结深10 4.5芯片厚度和质量10 4.6晶体管的横向设计、结构参数的选择10 5.工艺参数设计11 5.1工艺部分杂质参数11 5.2基区相关参数的计算过程11 5.3发射区相关参数的计算过程13 5.4氧化时间的计算14 6.设计参数总结16 7.工艺流程图17 8.生产工艺流程19 9.版图28 10.心得体会29 11.参考文献30 PNP双极型晶体管的设计 1、课程设计目的与任务《微子器件与工艺

2025-03-19 约3万字 29页立即下载

2017-01-06 约1.29万字 31页立即下载

第07章-薄膜晶体管的结构与设计.ppt 液晶显示器件阵列工艺王丽娟第7章薄膜晶体管的结构及设计长春工业大学王丽娟 2013年02月10日 7.2 背沟道刻蚀型TFT的工艺流程 7.2.1 5PEP阵列工艺 PEP 1 栅极 Mo/AlNd PEP 2 a-Si:H 岛 SiNx /α-Si/ n+-Si PEP 3 源漏电极及沟道切断 Mo/Al/Mo;α-Si/ n+-Si PEP 4 SiNx保护膜及过孔

2019-02-18 约8.83千字 81页立即下载

[晶体管电路设计(笔记整理).doc 共射交流放大倍数RC/RE 输入阻抗 R1/R2 输出阻抗 RC 存在弥勒效应，无法高频射级跟随器共集输入阻抗R1/R2 输出阻抗小数欧因为从交流回路看，负半周信号是射级电流从9.7毫安变化到0毫安时在交流等效电阻340欧上产生的电压波动。负半周信号信号最大时电流为零，此时输出电压负半周达最大幅值（-9.7*0.34伏）。即使此时输入的负半周信号向更负的方向变化，由于射级电流已减到最小（0毫安），输出的负半周信号维持不变，产生了削波现象。。 2、看输出端，也就是输出耦合电容后面的节点：这里只有交流信号通过。 (1)正半周的时候, 电流从这里出来，经过负载电阻到地，在负载电阻上形成

2017-07-03 约1.99千字 55页立即下载

2016-04-23 约1.29万字 31页立即下载

晶体管工作状态的判断教学设计.docx 稻壳儿学院教学设计科目. 《汽车电工电子技术基础》课题： 晶体管工作状态的判断授课班级： XX汽修班授课教师： Wanbukai 授课时间： 45分车中能言善“辨” 晶体管工作状态的判断教学理念节课的任务是让学生学会对晶体管工作状态的判断，以玩自主探究的教学方法，激发学生学习热情，让学生判断晶体管工作状态的同时充满成就感。教学不仅仅是教给学生探究的结论，而是需要学生形成探究的思维，掌握探究的操作程序。教学目标根据本节课的教学内容及特点，以及教材对学生的要求，结合学生现有的知识水平和理解能力，确定本节课的教学目标如下： ? 知识与技能目标

2022-07-22 约7.19千字 19页立即下载

实验二晶体管放大电路的设计.doc 晶体管放大电路的设计（设计性实验）一．设计题目：单极晶体管阻容耦合放大器的设计 (1)已知条件Vcc＝+12V，RL＝2.4，Vi＝10mV，Rs＝2 (2)性能指标要求Av40，Ril，RO2,FL100Hz，FH100kHz 二．设计步骤及要求 (1)根据已知条件及性能指标要求，确定电路器件，设置静态工作点，计算电路元件参数。 (2)在实验线路板上安装电路。调整并测量静态工作点，使其满足设计计算值的要求。 (3)测试性能指标，调整与修改元件参数值，使其满足放大器性能指标的要求。三．实验方案与设计过程 1．工作原理图2-1为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。它的偏置电路采用R

2016-06-03 约4.13千字 9页立即下载

晶体管放大器的设计和制作.doc 百度大学文档学院 晶体管放大器的设计与制作姓名：CT知道学号：专业：指导老师： 2010年6月16日设计要求设计并制作一个分立元件组成的放大器。主要技术指标为：电压放大倍数Au=100；输入阻抗Ri≥47KΩ；带宽BW=50Hz~100KHz；已知：输入信号电压=20mVf =1KHZ；负载电阻RL=5.1KΩ；工作温度范围0～45℃。设计所需器件（1）12V直流电源；（2）函数信号发生器；（3）双踪示波器；（4）交流毫伏表；（5）直流电压表；（6）直流毫安表；（7）频率计；（8）万用电表；（9）器件：晶体三极管3DG6×1(β＝50～100)或9011×1、电阻器、电容器若

2018-06-12 约3.66千字 8页立即下载

微波晶体管放大器设计.doc 微波晶体管放大器设计导师：陈建新学生：潘海鑫 1.引言随着通信技术特别是无线通信技术的飞速发展，人们对于无线通信终端的要求进一步提高，作为承担天线感应下来的微弱信号放大任务的低噪声放大器也必须进一步的适应通信信号对其的要求。通信信号本身就是高频载波信号，这就要求低噪声放大器能够在高频情况下工作。由于硅器件的截止频率fT为50GHz的理论极限已在日趋接近。在这种情况下，由于三~五族化合物半导体GaAs的电子迁移率比硅高出5倍，目前的戒指频率fT已经超过了100GHz，集成化技术也取得很大进展，但是GaAs材料具有明显的缺点：价格贵它的晶片制造工艺复杂，难度大，机械强度不好，容易碎片；热

2017-11-15 约9.97千字 20页立即下载

PNP双极型晶体管课程设计.docx

2021-07-05 约字 28页立即下载

LvS 晶体管溷频器的ADS设计.ppt 一. 用途，背景以及设计要求用途背景：混频器主要用于频率变换，在通信系统中有着重要作用，发送信号，基带信号首先要通过上变频混频器对其上变频调制到射频，再发射出去；同样，天线接收射频信号后，要通过混频器（下变频）将射频信号变换为频率较低的中频信号，以便更容易对信号进行后续的调整和处理。设计要求：输入射频频率范围（fRF）：3.0~3.5GHz；输出中频频率范围（fIF）：1~1.5GHz；输入功率大小（Pi）： -30dBm;

2017-06-08 约小于1千字 15页立即下载

晶体管β值测量电路设计.doc 摘要三极管放大倍数β值测量电路的功能是利用三极管的电流分配特性，将放大倍数β值的测量转化为对三极管电流的测量，同时实现用发光二极管显示出被测三极管的放大倍数β值。电源电路的功能是为上述所有电路提供直流电源。电源电路I/V转换电路、电压比较电路、电路和显示电路6部分构成。β值测量三极管 Abstract β magnification transistor circuit for measuring the value of the function is to use the current distribution of transistor characteristics, the β

2017-11-03 约5.52千字 21页立即下载

晶体管放大倍数β检测电路的设计.doc 课题五晶体管β值数显测量电路一、实验目的 1、设计任务设计一个低频小功率NPN型硅三极管共射极电流放大倍数β值测量电路。 2、基本要求（1）β值的测量范围为50 ～ 250。（2）接入晶体管后自动显示被测晶体管的β值，当没有接入晶体管时数码管显示为零。（3）当接入晶体管的β值不在测量范围时，用发光二极管指示。（4）测量精度为±5%。（5）测量响应时间t1S。 3、扩展要求（1）分档指示功能，当β值为50～100，100～180，180～250时，分别用发光二极管指示。（2）能测量PNP管的β值。二、实验原理由设计要求可

2017-08-26 约2.95千字 8页立即下载

VDMOS功率晶体管的版图设计..doc VDMOS功率晶体管的版图设计系专业姓名班级学号指导教师职称指导教师　职称设计时间 2012.9.15－2013.1.4 摘要 VDMOS 是微电子技术和电力电子技术融和起来的新一代功率半导体器件。因具有开关速度快、输入阻抗高、负温度系数、低驱动功率、制造工艺简单等一系列优点，在电力电子领域得到了广泛的应用。

2017-01-08 约1.29万字 24页立即下载